氣相沉積主要分為兩大類(lèi)：

化學(xué)氣相沉積(，簡(jiǎn)稱(chēng)CVD)；

物***相沉積(，簡(jiǎn)稱(chēng)PVD)。

，人們利用易揮發(fā)的液體TiCI稍加熱獲得TiCI氣體和NH氣體一起導(dǎo)入高溫反應(yīng)室，讓這些反應(yīng)氣體分解，再在高溫固體表面上進(jìn)行遵循熱力學(xué)原理的化學(xué)反應(yīng)，生成TiN和HCI，HCi被抽走，TiN沉積在固體表面上成硬質(zhì)固相薄膜。人們把這種通過(guò)含有構(gòu)成薄膜元素的揮發(fā)性化合物與氣態(tài)物質(zhì)，在固體表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)，且生成非揮發(fā)性固態(tài)沉積物的過(guò)程，稱(chēng)為化學(xué)氣相沉積(，CVD)。

同時(shí)，人們把另一類(lèi)氣相沉積，即通過(guò)高溫加熱金屬或金屬化合物蒸發(fā)成氣相，或者通過(guò)電子、等離子體、光子等荷能粒子的能量把金屬或化合物靶濺射出相應(yīng)的原子、離子、分子(氣態(tài))，在固體表面上沉積成固相膜，其中不涉及到物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)(分解或化合)，稱(chēng)為物***相沉積PVD)。

隨著氣相沉積技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用，上述兩類(lèi)型氣相沉積各自都有新的技術(shù)內(nèi)容，兩者相互交叉，你中有我，我中有你，致使難以嚴(yán)格分清是化學(xué)的還是物理的。

（1）化學(xué)氣相沉積（CVD）反應(yīng)溫度一般在900~1200℃，中溫CVD例如MOCVD（金屬有機(jī)化合***學(xué)氣相沉積），反應(yīng)溫度在500~800℃。若通過(guò)氣相反應(yīng)的能量，還可把反應(yīng)溫度降低。

“輔助”CVD的工藝較多，主要有：

① 電子輔助CVD（EACVD）（也稱(chēng)為電子束輔助CVD，電子增強(qiáng)CVD，或電子束誘導(dǎo)CVD），涂層的形成在電子作用下得到改進(jìn)。

② 激光輔助CVD（LACVD)，也稱(chēng)為激光CVD或光子輔助CVD，涂層的形成在激光輻照作用下得到改進(jìn)。

③ 熱絲CVD，也稱(chēng)為熱CVD，一根熱絲放在被鍍物件附近進(jìn)行沉積。

④ 金屬有機(jī)化合物CVD（MOCVD），是在一種有機(jī)金屬化合物氣氛（這種氣氛在室溫時(shí)是穩(wěn)定的，但在高溫下分解）中進(jìn)行沉積。

物***相沉積（PVD）是一項(xiàng)眾所周知的技術(shù)，廣泛應(yīng)用于薄膜沉積，涉及許多方面，包括摩擦學(xué)性能改善，光學(xué)增強(qiáng)，視覺(jué)/美學(xué)提升以及許多其他領(lǐng)域，涉及范圍廣泛。已經(jīng)建立的應(yīng)用程序。加工工具可能是該沉積技術(shù)的常見(jiàn)應(yīng)用之一，有時(shí)與化學(xué)氣相沉積（CVD）結(jié)合使用，以延長(zhǎng)其使用壽命，減少摩擦并改善熱性能。然而，CVD工藝在較高的溫度下進(jìn)行，從而在涂層和基材中產(chǎn)生較高的應(yīng)力，基本上僅在需要使用該工藝沉積所需的涂層時(shí)才使用。為了改進(jìn)此技術(shù)，已進(jìn)行了多項(xiàng)研究，以?xún)?yōu)化PVD技術(shù)，方法是增加等離子體電離，減少暗區(qū)（反應(yīng)器中沒(méi)有沉積物的區(qū)域），改善靶材的使用，提高原子轟擊效率，甚至提高沉積速率并優(yōu)化氣體選擇。