光刻膠的分類

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硅片制造中，海南負(fù)性光刻膠，光刻膠的目的主要有兩個(gè)：（1）將掩模版圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面頂層的光刻膠中；（2）在后續(xù)工藝中，保護(hù)下面的材料（例如刻蝕或離子注入阻擋層）。

分類

光刻膠的技術(shù)復(fù)雜，品種較多。根據(jù)其化學(xué)反應(yīng)機(jī)理和顯影原理，可分負(fù)性膠和正性膠兩類。光照后形成不可溶物質(zhì)的是負(fù)性膠；反之，對(duì)某些溶劑是不可溶的，經(jīng)光照后變成可溶物質(zhì)的即為正性膠。圖1是正性膠的顯影工藝與負(fù)性膠顯影工藝對(duì)比結(jié)果示意圖 [2]  。

光刻膠

① 工藝角度普通的光刻膠在成像過(guò)程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻膠圖形的對(duì)比度，從而降低了圖形的分辨率。隨著***加工特征尺寸的縮小，入射光的反射和散射對(duì)提高圖形分辨率的影響也越來(lái)越大。為了提高***系統(tǒng)分辨率的性能，人們正在研究在***光刻膠的表面覆蓋抗反射涂層的新型光刻膠技術(shù)。該技術(shù)的引入，負(fù)性光刻膠廠家，可明顯減小光刻膠表面對(duì)入射光的反射和散射，從而改善光刻膠的分辨率性能，但由此將引起工藝復(fù)雜性和光刻成本的增加。② ***系統(tǒng)伴隨著新一代***技術(shù)（NGL）的研究與發(fā)展，為了更好的滿足其所能實(shí)現(xiàn)光刻分辨率的同時(shí)，光刻膠也相應(yīng)發(fā)展。******技術(shù)對(duì)光刻膠的性能要求也越來(lái)越高。③光刻膠的鋪展如何使光刻膠均勻地，按理想厚度鋪展在器件表面，負(fù)性光刻膠哪家好，實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。④光刻膠的材料從光刻膠的材料考慮進(jìn)行改善。

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光刻膠的應(yīng)用

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模擬半導(dǎo)體（Analog Semiconductors）發(fā)光二極管（Light-Emitting Diodes LEDs）微機(jī)電系統(tǒng)（Microelectromechanical Systems MEMS）太陽(yáng)能光伏（Solar Photovoltaics PV）微流道和生物芯片（Microfluidics & Biochips）光電子器件/光子器件（Optoelectronics/Photonics）封裝（Packaging）

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