二、表面制絨

單晶硅絨面的制備是利用硅的各向異性腐蝕，拆卸太陽能板***回收，在每平方厘米硅表面形成幾百萬個四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液，可用的堿有***，***和***等。大多使用廉價的濃度約為1%的***稀溶液來制備絨面硅，腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面，還應在溶液中酌量添加醇類如乙醇和異***等作為絡(luò)合劑，以加快硅的腐蝕。制備絨面前，硅片須***行初步表面腐蝕，用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20～25μm，在腐蝕絨面后，進行一般的化學清洗。經(jīng)過表面準備的硅片都不宜在水中久存，以防沾污，應盡快擴散制結(jié)。

六、鍍減反射膜

拋光硅表面的反射率為35%，為了減少表面反射，提高電池的轉(zhuǎn)換效率，需要沉積一層氮化硅減反射膜?，F(xiàn)在工業(yè)生產(chǎn)中常采用PECVD設(shè)備制備減反射膜。PECVD即等離子增強型化學氣相沉積。它的技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預定的溫度，拆卸太陽能板回收價格，然后通入適量的反應氣體SiH4和NH3，氣體經(jīng)一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態(tài)薄膜即氮化硅薄膜。

硅片是半導體材料的基石，它是先通過拉單晶制作成硅棒，然后切割制作成的。由于硅原子的價電子數(shù)為4，序數(shù)適中，所以硅元素具有特殊的物理化學性質(zhì)，可用在化工、光伏、芯片等領(lǐng)域。特別是在芯片領(lǐng)域，正式硅元素的半導體特性，使其成為了芯片的基石。在光伏領(lǐng)域，可用于太陽能發(fā)電。而且地球的地殼中硅元素占比達到25.8%，開采較為方便，客退太陽能板回收，可回收性強，所以價格低廉，進-步增強了硅的應用范圍。

印刷電路板將零件與零件之間復雜的電路銅線，經(jīng)過細致整齊的規(guī)劃后，蝕刻在一塊板子上，提供電子零組件在安裝與互連時的主要支撐體，是所有電子產(chǎn)品不可或缺的基礎(chǔ)零件。

印刷電路板以不導電材料所制成的平板，在此平板上通常都有設(shè)計預鉆孔以安裝芯片和其它電子組件。組件的孔有助于讓預先定義在板面上印制之金屬路徑以電子方式連接起來，將電子組件的接腳穿過PCB后，安慶太陽能板，再以導電性的金屬焊條黏附在PCB上而形成電路。

依其應用領(lǐng)域PCB可分為單面板、雙面板、四層板以上多層板及軟板。一般而言，電子產(chǎn)品功能越復雜、回路距離越長、接點腳數(shù)越多，PCB所需層數(shù)亦越多，如高階消費性電子、信息及通訊產(chǎn)品等；而軟板主要應用于需要彎繞的產(chǎn)品中：如筆記型計算機、照相機、汽車儀表等。