薄膜電容器與鋁電容器的性能特性

如果在薄膜電容器中出了什么問題，比如電介質(zhì)擊穿或是碰到一個(gè)非常高的電流脈沖（高dU/dt），金屬化層或是連到金屬化層的觸點(diǎn)就會(huì)被***。薄膜電容器會(huì)變成開路狀態(tài)。

如果鋁電容器中出了什么問題，結(jié)果更難預(yù)料。由于電介質(zhì)擊穿導(dǎo)致的接頭損壞，庫存電子元器件回收，表現(xiàn)出來的結(jié)果可以是短路、開路，回收電子元器件公司，或是中間的什么狀態(tài)，比如泄漏電流會(huì)增加。如果鋁電容器過熱，而且還連到電源上，其溫度會(huì)升到電解液的沸點(diǎn)以上，大概能達(dá)到200 °C。所產(chǎn)生的內(nèi)部壓力會(huì)使泄壓裝置打開，電解液會(huì)流出來，新疆電子元器件，卷繞層會(huì)變干。

    DSC為控制系統(tǒng)的太陽能并網(wǎng)逆變電源設(shè)計(jì)方案 

    因?yàn)镈SP芯片是DSC關(guān)鍵部件，因此太陽能并網(wǎng)逆變電源設(shè)計(jì)方案都是基于DSP技術(shù)的設(shè)計(jì)方案。恰逢以TMS320C2000TMDSP為典型性運(yùn)用作剖析。由于以TMS320C2000TMDSP的平臺(tái)可以好地回應(yīng)太陽能逆變電源好幾條執(zhí)行線路的即時(shí)考驗(yàn)。所以就讓TMS320C2000TMDSP為典型性運(yùn)用作剖析。該TMS320028xTM，關(guān)鍵32位CPU以150MHz的大工作頻率運(yùn)作，可以有效地實(shí)行在至大功率點(diǎn)一下控制面板所需要的高精密優(yōu)化算法，可保證很高電源轉(zhuǎn)換效率好，而且在嚴(yán)苛與隨時(shí)變化條件下亦是如此。DC/AC轉(zhuǎn)化器引橋的驅(qū)動(dòng)程序由TMS320C2000元器件高度靈活的PWM控制模塊實(shí)行及與片高速12位ADC配合使用，調(diào)整所需要的電流與電壓，回收電子元器件，從而獲得常見正弦波形。圖3(b)會(huì)用TMS320C2000DSP為控制系統(tǒng)的太陽能并網(wǎng)逆變電源設(shè)計(jì)方案提示框架圖。太陽能并網(wǎng)逆變電源設(shè)計(jì)方案由控制系統(tǒng)和輸出功率主電路兩部分組成。

電容器基礎(chǔ)知識(shí)

　　薄膜和鋁電容器是兩種在平行基板電容器基礎(chǔ)上演變出來的電容器。圖2顯示了這兩種電容器的基本結(jié)構(gòu)，標(biāo)出了主要的不同點(diǎn)。

在太陽能逆變器中，用做能量緩沖器的薄膜電容器由兩層卷繞在一起的金屬化聚丙烯組成。聚丙烯的厚度決定了電壓等級(jí)，電壓等級(jí)可以達(dá)到數(shù)千伏。聚丙烯上的金屬化部分通過噴灑在卷繞膜上的金屬微粒實(shí)現(xiàn)接觸。接頭引線就焊在這個(gè)金屬化部分上。

　　鋁電容器由兩層鋁箔組成，中間夾著一層或兩層紙，用導(dǎo)電液體即電解液填充。接頭焊在每個(gè)鋁層上。頂層鋁有孔洞，以增加表面積，上面覆蓋一個(gè)厚氧化物層。第二層鋁只用來接觸電解液。電壓等級(jí)受氧化物層厚度和電解液成分的限制，在實(shí)際應(yīng)用中一般在500V左右。