測試流程制定

如前文所述，單次測量光伏組件IV特性曲線，需同時測量其工作條件下的太陽輻照度，組件溫度及環(huán)境溫度。參照IEC 60904-1中相關(guān)內(nèi)容，制定了光伏組件戶外測試流程，步驟如下：

1）同步測量環(huán)境中太陽輻照度，組件溫度及環(huán)境氣溫，并記錄數(shù)據(jù)；

2）測量光伏組件開路電壓VOC及短路電流ISC，計算近似大功率點處電壓Vapp =0.8VOC，計算恒壓模式下測量點數(shù)NCV；

3）計算電壓變化步長ΔV =Vapp/NCV，設(shè)置可編程電子負載為恒壓工作模式，單晶太陽能板電池板價格，以步長ΔV 依次測量IV特性曲線上各點；

4）當(dāng)NCV個點測量完成，此時光伏組件工作電壓為Vapp ，測量相應(yīng)的工作電流Iapp ，由Iapp 計算恒流模式下測量點數(shù)NCC；

5）計算電流變化步長ΔI=Iapp/NCC，設(shè)置可編程電子負載為恒流工作模式，以步長ΔI 從當(dāng)前工作點繼續(xù)掃描IV特性曲線，直至剩余點測量完成；

按硅片直徑劃分：　　

硅片直徑主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸（300mm），目前已發(fā)展到18英寸（450mm）等規(guī)格。直徑越大，在一個硅片上經(jīng)一次工藝循環(huán)可制作的集成電路芯片數(shù)就越多，每個芯片的成本也就越低。因此，更大直徑硅片是硅片制各技術(shù)的發(fā)展方向。但硅片尺寸越大，對微電子工藝設(shè)各、材料和技術(shù)的要求也就越高。　　

按單晶生長方法劃分：　　

直拉法制各的單晶硅，稱為CZ硅（片）;磁控直拉法制各的單晶硅，稱為MCZ硅（片）;懸浮區(qū)熔法制各的單晶硅，稱為FZ硅（片）;用外延法在單晶硅或其他單晶襯底上生長硅外延層，稱為外延（硅片）。

硅片的清潔　　

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴格清洗。微量污染也會導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機物和無機物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、***殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括***金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo)；堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、***、微生物、有機膠體纖維等，會導(dǎo)致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學(xué)清洗兩種。

特點

播報PCB之所以能受到越來越廣泛的應(yīng)用，是因為它有很多的優(yōu)點，大致如下： [可高密度化多年來，印制板的高密度一直能夠隨著集成電路集成度的提高和安裝技術(shù)的進步而相應(yīng)發(fā)展。 高可靠性通過一系列檢查、測試和老化試驗等技術(shù)手段，可以保證PCB長期(使用期一般為20年)而可靠地工作。 可設(shè)計性對PCB的各種性能(電氣、物理、化學(xué)、機械等)的要求，可以通過設(shè)計標準化、規(guī)范化等來實現(xiàn)。這樣設(shè)計時間短、效率好。