KGPS可控硅中頻電源

    恒泰中頻電源經(jīng)過線路技術不斷改進，現(xiàn)已發(fā)展為配置第八代數(shù)字化線路板的國內***新式中頻電源，該電源具有頻率范圍寬、恒功率調節(jié)、掃描自動零壓啟動，電壓、電流雙閉環(huán)反饋系統(tǒng)。并具有非常嚴密的過渡、過壓、欠流、欠壓、缺水、缺相等各項保護措施，使設備具有較高的穩(wěn)定性和自動控制調節(jié)能力。

(1)控制部分主要由電源、調節(jié)器、移相控制、保護電路、相序自適應電路、啟動演算電路、逆變頻率跟蹤、逆變脈沖形成、脈沖放大及脈沖變壓器組成．其核心部件采用美國生產(chǎn)的高性能高密度大規(guī)模專用ASIC-2集成電路,使其內部電路除調節(jié)器外,其余均實現(xiàn)數(shù)字化,整流觸發(fā)器部分不需要任何調整,而且可靠性高、脈沖對稱度高、抗干擾能力強、反應速度快等特點,又由于有相序自適應電路,無需同步變壓器,所以,現(xiàn)場調試中免去了調相序、對同步的工作,僅需把KP可控硅的門極線接入控制板相應的接線端上，整流部分便能投入運行。
(2)主回路逆變橋負載為感應爐與電容器組成的并聯(lián)諧振電路，在感應爐回路串相同容量的電容，進行升壓，使得到達爐子的電壓為1500V。
(3)整流部分采用三相全控橋式整流，控制回路采用當前***的集成電路，脈沖一致性好、抗干擾能力強的數(shù)字觸發(fā)電路。逆變采用掃頻式零壓軟啟動，并設有重復啟動電路，從而提高了啟動可靠性。只要負載品質因數(shù)≥2.5，啟動成功率可達100%，頻率跟蹤電路采用平均值取樣方案，從而提高了逆變系統(tǒng)的抗干擾能力。另外，逆變電路中還增設了逆變θ角自動調節(jié)電路及阻抗調節(jié)器，在任何負載情況下，都能達到***大功率輸出，從而達到節(jié)時、節(jié)電、提高網(wǎng)側功率因數(shù)的目的。
(4)調節(jié)器電路部分，采用中頻電壓、直流電流雙閉環(huán)PI調節(jié)器，并在啟動過程中雙閉環(huán)始終參與工作，從而達到系統(tǒng)穩(wěn)定工作的目的。
(5)保護電路，主電路與控制電路的送電、斷電先后次序及使用人員的誤操作均不會對系統(tǒng)產(chǎn)生任何不良影響，具體保護功能有：缺相保護；過電流保護；過電壓保護；欠電壓保護；欠水壓斷水保護。本系統(tǒng)保護功能齊全，并在任何故障狀態(tài)出現(xiàn)時都有聲光報警，同時使裝置自動停止工作。
(6)中頻電源的啟動方式為掃頻式零起動是指電源起動過程中,負載電壓和電流是從零開始逐漸增長的一種軟起動方式,因此對電網(wǎng)沒有電流沖擊.啟動電路設有自動重復啟動電路,可防止電源偶爾的啟動失敗,使啟動的成功率為100%,頻率跟蹤電路采用的是平均值取樣方案,提高了逆變的抗干擾能力. 關鍵的電器元件參數(shù)都經(jīng)過計算機仿真確定，并經(jīng)實踐比用經(jīng)典方法設計有更高的正確性和可靠性。全部控制電路都在一塊印刷板上,大大減少因接插件接觸不良引起的故障。

IGBT系列節(jié)能電源技術優(yōu)勢

●恒功率輸出確保電源變壓器可利用容量利用100%利用
●功率因數(shù)始終大于0.95，無須配備繁雜的補償系統(tǒng)
●與可控硅電爐相比可以節(jié)電10%-20%
●無高次諧波干擾，對電網(wǎng)無污染
●信號采用光纖傳輸，抗干擾能力強
●采用數(shù)字鎖相技術，頻率穩(wěn)定度高
●多重保護功能（雙重死區(qū)保護，IGBT保護及過流、過壓、超溫、斷水等各項保護）
●工作頻率范圍寬，廣泛用于熔煉、透熱、淬火等熱處理工藝
●采用PLC智能控制，運行參數(shù)可事先預置
●可實現(xiàn)編程運行模式，實現(xiàn)全自動運行
●全封閉內循環(huán)水冷系統(tǒng)，確保設備安全。
●實時多點溫度控制及自動巡回檢測，消除器件過熱隱患。
●可初現(xiàn)操作容錯功能，用戶錯誤操作不會對設備造成損壞
●采用***的多頻點預置技術具有100%的成功啟動率。

IGBT中頻電源介紹

　　(1)IGBT中頻電源是一種采用串聯(lián)諧振式的中頻感應熔煉爐，它的逆變器件為一種新型IGBT模塊（絕緣柵雙極型晶體管，德國生產(chǎn)），它主要用于熔煉普通碳素鋼、合金鋼、鑄鋼、有色金屬。它具有熔化速度快、節(jié)能、高次諧波污染低等優(yōu)點。
　　(2)IGBT中頻電源為一種恒功率輸出電源，加少量料即可達到滿功率輸出，并且始終保持不變，所以熔化速度快；因逆變部分采用串聯(lián)諧振，且逆變電壓高，所以IGBT中頻比普通可控硅中頻節(jié)能；IGBT中頻采用調頻調功，整流部分采用全橋整流，電感和電容濾波，且一直工作在500V，所以IGBT中頻產(chǎn)生高次諧波小，對電網(wǎng)產(chǎn)生污染工低。
　　(3)節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比傳統(tǒng)可控硅中頻電源可節(jié)能15%-25%,節(jié)能的主要原因有以下幾下方面：
a. 逆變電壓高，電流小，線路損耗小，此部分可節(jié)能15%左右，節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源逆變電壓為2800V，而傳統(tǒng)可控硅中頻電源逆變電壓僅為750V，電流小了近4倍，線路損耗大大降低。
b. 功率因數(shù)高，功率因數(shù)始終大于0.98，無功損耗小，此部分比可控硅中頻電源節(jié)能3%-5%。由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用了半可控整流方式，整流部分不調可控硅導通角，所以整個工作過程功率因數(shù)始終大于0.98，無功率損耗小。
爐品熱損失小，由于節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源比同等功率可控硅中頻電源一爐可快15分鐘左右，15分鐘的時間內爐口損失的熱量可占整個過程的3%，所以此部分比可控硅中頻可節(jié)能3%左右。
　　(4)高次諧波干擾：高次諧波主要來自整流部分調壓時可控硅產(chǎn)生的毛刺電壓，會嚴重污染電網(wǎng)，導致其他設備無法正常工作，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源的整流部分采用半可控整流方式，直流電壓始終工作在***高，不調導通角，所以它不會產(chǎn)生高次諧波，不會污染電網(wǎng)、變壓器，開關不發(fā)熱，不會干擾工廠內其他電子設備運行。
　　(5)恒功率輸出：可控硅中頻電源采用調壓調功，而節(jié)能型IGBT晶體管中頻電源采用調頻調功，它不受爐料多少和爐襯厚薄的影響，在整個熔煉過程中保持恒功率輸出，尤其是生產(chǎn)不銹鋼、銅、鋁等不導磁物質時，更顯示它的優(yōu)越性，熔化速度快，爐料元素燒損少，降低鑄造成本。