金屬封裝外殼CNC與壓鑄結(jié)合就是先壓鑄再利用CNC精加工。新式的金屬封裝材料以及運用除開Cu／W及Cu／Mo之外，傳統(tǒng)式金屬封裝材料全是單一金屬或鋁合金，他們常有一些不夠，無法解決當(dāng)代封裝的發(fā)展趨勢。工藝優(yōu)缺點：CNC工藝的成本比較高，材料浪費也比較多，當(dāng)然這種工藝下的中框或外殼質(zhì)量也好一些。金屬封裝外殼CNC加工開始前，首先需要建模與編程。3D建模的難度由產(chǎn)品結(jié)構(gòu)決定，結(jié)構(gòu)復(fù)雜的產(chǎn)品建模較難，需要編程的工序也更多、更復(fù)雜。鋁擠、DDG、粗銑內(nèi)接著將鋁合金板銑成手機(jī)機(jī)身需要的尺寸，方便CNC精密加工，接著是粗銑內(nèi)腔，將內(nèi)腔以及夾具***的柱加工好，起到精密加工的固定作用。

密度大也使Cu／W具有對空間輻射總劑量(TID)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用，因為要獲得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。金屬外殼制作工藝大致可以分為3種、一種是全CNC加工，一種是壓鑄，還有就是將CNC與壓鑄結(jié)合使用。新型的金屬封裝材料及其應(yīng)用除了Cu／W及Cu／Mo以外，傳統(tǒng)金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應(yīng)對現(xiàn)代封裝的發(fā)展?？煞タ煞ズ辖?Fe-29Ni-17Co，中國牌號4J29)的CTE與Si、GaAs以及Al2O3、BeO、AIN的CTE較為接近，具有良好的焊接性、加工性，能與硼硅硬玻璃匹配封接，在低功率密度的金屬封裝中得到廣泛的使用。但由于其熱導(dǎo)率低，電阻率高，密度也較大，使其廣泛應(yīng)用受到了很大限制。金屬基復(fù)合材料金屬封裝是采用金屬作為殼體或底座，芯片直接或通過基板安裝在外殼或底座上，引線穿過金屬殼體或底座大多采用玻璃—金屬封接技術(shù)的一種電子封裝形式。它廣泛用于混合電路的封裝，主要是和定制的專用氣密封裝，在許多領(lǐng)域，尤其是在軍事及航空航天領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。

金屬封裝外殼CNC與鋁壓鑄融合便是先鋁壓鑄再運用CNC深度加工。加入Al2O3后，熱導(dǎo)率稍有減少，為365W(m-1K-1)，電阻率略有增加，為1．85μΩ·cm，但屈服強(qiáng)度得到明顯增加。工藝優(yōu)點和缺點：CNC工藝的成本費較為高，原材料浪費也比較多，自然這類工藝下的中框或外殼品質(zhì)也罷一些。Cu基高分子材料全銅具備較低的退火點，它做成的底座出現(xiàn)變軟能夠造成 集成ic和／或基鋼板裂開。以便提升銅的退火點，能夠在銅中添加小量Al2O3、鋯、銀、硅。這種化學(xué)物質(zhì)能夠使無氧運動高導(dǎo)銅的退火點從320℃上升到400℃，而導(dǎo)熱系數(shù)和導(dǎo)電率損害并不大 金屬基高分子材料金屬封裝是選用金屬做為罩殼或底座，集成ic立即或根據(jù)基鋼板安裝在外殼或底座上，導(dǎo)線越過金屬罩殼或底座大多數(shù)選用夾層玻璃—金屬封接技術(shù)性的一種電子封裝方式。它普遍用以混和電源電路的封裝，主要是和訂制的專用型氣密性封裝，在很多行業(yè)，尤其是在及航天航空行業(yè)獲得了普遍的運用。

國內(nèi)外已廣泛生產(chǎn)并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上。材料工作者在這些材料基礎(chǔ)上研究和開發(fā)了很多種金屬基復(fù)合材料(MMC)，它們是以金屬(如Mg、Al、Cu、Ti)或金屬間化合物(如TiAl、NiAl)為基體，以顆粒、晶須、短纖維或連續(xù)纖維為增強(qiáng)體的一種復(fù)合材料。由于Cu-Mo和Cu-W之間不相溶或浸潤性極差，況且二者的熔點相差很大，給材料制備帶來了一些問題；如果制備的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，則氣密性得不到保證，影響封裝性能。另一個缺點是由于W的百分含量高而導(dǎo)致Cu／W密度太大，增加了封裝重量。金屬封裝外殼壓鑄的原則就是不浪費，節(jié)省時間和成本，但是不利于后期的陽極氧化工藝，還可能留下沙孔流痕等等影響質(zhì)量和外觀的小問題，當(dāng)然，廠商們都有一個良品率的概念，靠譜的廠商是不會讓這些次品流入到后面的生產(chǎn)環(huán)節(jié)中去的。材料工作者在這些材料基礎(chǔ)上研究和開發(fā)了很多種金屬基復(fù)合材料(MMC)，它們是以金屬(如Mg、Al、Cu、Ti)或金屬間化合物(如TiAl、NiAl)為基體，以顆粒、晶須、短纖維或連續(xù)纖維為增強(qiáng)體的一種復(fù)合材料。