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為了避免掩模對(duì)要蒸發(fā)的襯底造成損壞,通常在掩模上設(shè)置保護(hù)膜,并且保護(hù)膜由有機(jī)材料制成。當(dāng)保護(hù)膜接觸要蒸發(fā)的基板時(shí),保護(hù)膜對(duì)要蒸發(fā)的基板造成的損害小于掩模對(duì)要蒸發(fā)的基板造成的損害。
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光刻是使用***的半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的重要步驟i光和顯影描繪光致抗蝕劑層上的幾何結(jié)構(gòu),然后通過(guò)蝕刻工藝將光掩模上的圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。這里提到的襯底不僅包括硅晶片,還包括其他金屬層和電介質(zhì)層,例如SOS中的玻璃和藍(lán)寶石。
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在半導(dǎo)體設(shè)備的全部步驟中,在其中部分就是以板圖到圓晶(wafer)生產(chǎn)制造正中間的1個(gè)全過(guò)程,即光掩膜或稱(chēng)光罩(mask)生產(chǎn)制造。這部分是步驟對(duì)接的重要一部分,石英鉻板,是步驟中工程造價(jià)***i高的部分,都是限定***i小圖形界限的短板之首。針對(duì)數(shù)據(jù)處理方法關(guān)鍵來(lái)源于于加工工藝上的規(guī)定,在圖像處理上帶:1,立即相匹配光掩膜立即相匹配到板圖的一層層,如金屬材料層。2,邏輯運(yùn)算光刻圖型將會(huì)由1層或雙層板圖層邏輯運(yùn)算而成。例如界定pplus與nplus相輔相成,假如只能pplus,nplus將由pplus開(kāi)展邏輯性非的與運(yùn)算獲得。在具體解決中以翻轉(zhuǎn)的方式保持。但是特別注意的是,在開(kāi)展一些邏輯運(yùn)算時(shí),涂層的次序非常關(guān)鍵。與翻轉(zhuǎn)與運(yùn)算融合進(jìn),與運(yùn)算的順序也很關(guān)鍵。
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