親疏水處理度對于GaAs/GaN鍵合界面透光性的影響

采用親疏水兩種不同的處理方法，在氮氣保護(hù)、600℃熱處理1h條件下，成功實現(xiàn)了GaN和GaAs異質(zhì)材料的鍵合，兩種處理方法均可滿足器件對于鍵合強度及鍵合面積的要求.從親疏水鍵合機(jī)理的不同出發(fā)，研究了兩種處理方法對于界面透光性的影響，對鍵合樣品進(jìn)行了可見光透射譜測試，實驗結(jié)果表明疏水鍵合界面對于垂直入射的630nm的光可以獲得高達(dá)94.7%的透過率，并將鍵合樣品加工成器件進(jìn)行電致發(fā)光(EL)譜測試，實驗結(jié)果與透射譜測試結(jié)果一致.

超疏水表面材料具有防水、防污、可減少流體的粘滯等優(yōu)良特性，是目前功能材料研究的熱點之一一。超疏水性物質(zhì)，具有極難被水沾濕的表面，疏水處理方法，其水在其表面的接觸角超過150°，硅疏水處理，滑動角小于20°。超疏水表面一般可以通過兩類技術(shù)路線來制備:--類是在低表面能的疏水材料表面上構(gòu)建微米納米級粗糙結(jié)構(gòu);另外一類是用低表面能物質(zhì)在微米-納米級粗糙結(jié)構(gòu)上進(jìn)行修飾處理。從制備方法來說，主要有蒸汽誘導(dǎo)相分離法、模板印刷法、電紡法、溶膠-凝膠法、模板擠壓法、激光和等離子體刻蝕法、拉伸法、腐蝕法以及其他方法。

等離子清洗設(shè)備的原理是在真空狀態(tài)下，壓力越來越小，分子間間距越來越大，常見疏水處理，分子間力越來越小，利用射頻電源產(chǎn)生的高壓交變電場將氧、、氫等工藝氣體震蕩成具有高反應(yīng)活性或高能量的離子，然后與有機(jī)污染物及微顆粒污染物反應(yīng)或碰撞形成揮發(fā)性物質(zhì)，然后由工作氣體流及真空泵將這些揮發(fā)性物質(zhì)清除出去，浙江疏水處理，從而達(dá)到表面清潔活化的目的。是清洗方法中為的剝離式清洗，其大優(yōu)勢在于清洗后無廢液，大特點是對金屬、半導(dǎo)體、氧化物和大多數(shù)高分子材料等都能很好地處理，可實現(xiàn)整體和局部以及復(fù)雜結(jié)構(gòu)的清洗

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