IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，DDR存儲器加工，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

輸出特性與轉(zhuǎn)移特性：

IGBT的伏安特性是指以柵極電壓VGE為參變量時，集電極電流IC與集電極電壓VCE之間的關(guān)系曲線。IGBT的伏安特性與BJT的輸出特性相似，也可分為飽和區(qū)I、放大區(qū)II和擊穿區(qū)III三部分。IGBT作為開關(guān)器件穩(wěn)態(tài)時主要工作在飽和導(dǎo)通區(qū)。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指集電極輸出電流IC與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當柵極電壓VGE小于開啟電壓VGE(th)時，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分集電極電流范圍內(nèi)，IC與VGE呈線性關(guān)系。

IGBT與MOSFET的對比：

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極(S)、漏極(D)和柵極(G)。

主要優(yōu)點：熱穩(wěn)定性好、安全工作區(qū)大。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。

因為在我國半導(dǎo)體材料關(guān)鍵集成ic產(chǎn)出率仍然較低，很多集成ic仍依靠進口，據(jù)新材料顯示信息，17年我國集成電路芯片進口使用價值為2，601億美金，遠遠超過了石油，DDR存儲器，是在我國第*大進口產(chǎn)品。

在其中CPU、GPU、通用性電子控制系統(tǒng)中的FPGA/DSP、通訊裝備中的MPU和DSP、儲存設(shè)備中的DRAM和NandFlash、也有顯示設(shè)備中的DisplayDriver，這種商品的經(jīng)銷商還是以英國、日本、日本國及在我國臺灣省主導(dǎo)，全力以赴促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國內(nèi)生產(chǎn)制造的，非常是顯示信息控制面板驅(qū)動器IC的國內(nèi)生產(chǎn)制造的，是現(xiàn)階段的重中之重。

LED器件對驅(qū)動電源的要求幾乎是苛刻的，與普通白熾燈泡不同的是，LED可以與220V交流電力直接連接。發(fā)光二極管是低電壓驅(qū)動，需要設(shè)計復(fù)雜的轉(zhuǎn)換電路，LED燈有不同的用途，DDR存儲器多少錢，電源適配器也有不同的配置。一個好的電源設(shè)計必須綜合考慮各種因素，如效率轉(zhuǎn)換，有效功率，恒流精度，電源壽命，電磁兼容性等，因為電源在整個燈具中的作用如同人的心臟一樣重要。