高純鍺探測(cè)器
ORTEC公司高純鍺HPGe 實(shí)驗(yàn)室能譜分析系統(tǒng)是德國(guó)ICX Radiation 生產(chǎn)的高靈敏能譜分析系統(tǒng)，系統(tǒng)包括HPGe檢測(cè)器、杜瓦瓶、鉛室、刻度源、個(gè)人計(jì)算機(jī)、數(shù)字化多道分析器和系統(tǒng)軟件，一體化防水設(shè)計(jì)，重量輕，靈敏度高，無(wú)源自動(dòng)穩(wěn)譜，可巡測(cè)及快速測(cè)量，數(shù)據(jù)自動(dòng)存儲(chǔ)于內(nèi)存中，也可以將數(shù)據(jù)導(dǎo)入個(gè)人電腦對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行回放。
多樣的探測(cè)器類型，適應(yīng)不同用戶的實(shí)際需求：
1.P型探測(cè)器.GEM系列
2.N型反向電極探測(cè)器GMX系列
3.優(yōu)化型全能探測(cè)器GEM-C系列
4.優(yōu)化型超大平面探測(cè)器GEM-S/SP系列
5.低能平面探測(cè)器GLP系列
6.井型HPGE探測(cè)器GWL系列
P型標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器：
能量范圍：40Kev-10Mev
探測(cè)器效率可達(dá)150%
良好的分辨率
可定制晶體尺寸
多種制冷結(jié)構(gòu)，Streamline,PopTop,機(jī)械制冷
保證值：相對(duì)效率1332Kev,峰康比1332Kev,分辨率122Kev,1332，峰型比，十分之一高度比半寬高度
N型反向電極探測(cè)器：
能量范圍：3Kev-10Mev
標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器效率可達(dá)100%
超薄的表面死層
耐中子損傷用戶可以自行修復(fù)
多種制冷結(jié)構(gòu)，Streamline,PopTop,機(jī)械制冷
保證值：相對(duì)效率1332Kev,峰康比1332Kev,分辨率122Kev,1332，峰型比，十分之一高度比半寬高度
優(yōu)化型全能型探測(cè)器：
能量范圍：3Kev起
標(biāo)準(zhǔn)探測(cè)器效率可達(dá)175%
超薄的前端死層
多種制冷結(jié)構(gòu)，Streamline,PopTop,機(jī)械制冷
保證值：晶體直徑及厚度，5.9Kev，122Kev，1332Kev分辨率，峰康比1332Kev
低能平面探測(cè)器：
能量范圍：3Kev-300kev
有效面積從30mm2-1000mm2
支持PopTop結(jié)構(gòu)
可提供高達(dá)36mm直徑的探測(cè)器
井型高純鍺探測(cè)器：
能量范圍：10Kev-10Mev
有效探測(cè)器面積450cc
獨(dú)特的離子注入盲井、超薄死層
在井底部保證不小于5mm的有效厚度
接近4-pi的立體角
標(biāo)準(zhǔn)的井尺寸：15.5mm直徑，40mm深度
保證值：晶體有效體積，122Kev，1332Kev分辨率，井尺寸
制冷器：
ORTEC公司提供不同類型的制冷方式，X-COOLER III電制冷、MOBIUS液氮回凝制冷器、ICS集成電制冷