CdZnTe襯底
CdZnTe是具有閃鋅礦結(jié)構(gòu)的連續(xù)固溶體，晶格常數(shù)在0.6100 ～ 0.6482 nm之間連續(xù)可調(diào)，能與不同波段的紅外探測(cè)晶體HgCdTe實(shí)現(xiàn)完全晶格匹配，減少外延層的失配位錯(cuò)，且因Zn的引入，增加了晶格強(qiáng)度和堆垛層錯(cuò)能，降低了位錯(cuò)密度和形成孿晶的可能性。
CdZnTe單晶是目前公認(rèn)的***佳HgCdTe外延襯底，廣泛應(yīng)用于國防、安防、***、制導(dǎo)的紅外探測(cè)設(shè)備。
技術(shù)參數(shù)
|
材料 |
Cd1-xZnxTe單晶，x=0.04 |
|
類型 |
p型 |
|
尺寸 |
14×14×1.3 mm3，10×10×1 mm3 （可定制其他尺寸） |
|
晶面指數(shù) |
(111)、（211） |
|
定向及偏差 |
晶向偏差≤0.3° |
|
電阻率 |
ρ＞106 Ω·cm |
|
紅外透過率 |
≥60% |
|
紅外成像 |
≤2μm的Te夾雜相 或 ≤2μm的Cd夾雜相 |
|
雙晶衍射半峰寬（FWHM） |
≤30 rad·s |
|
腐蝕坑密度（EPD） |
1×104 /cm2 ~ 5×104 /cm2 |
|
表面粗糙度 |
Ra≤5 nm |
|
包裝環(huán)境 |
百級(jí)超凈間，真空外包 |
|
溫度 20℃ ~ 25℃，相對(duì)濕度45% ~ 60% |