設(shè)備名稱：中頻磁控濺射鍍膜設(shè)備

廠家：東莞匯成真空科技有限公司

主要技術(shù)參數(shù)及規(guī)格：

1.Ф800×H900mm |Ф1100×H1200mm |Ф1350×H1250mm |Ф1600×H1250mm |Ф1900×H1250mm

2.立式雙開門、立式單開門

主要配件：真空泵

產(chǎn)品說明：

中頻磁控濺射技術(shù)已漸成為濺射鍍膜的主流技術(shù)，它優(yōu)于直流磁控濺射鍍膜的特點(diǎn)是：克服了陽極消失現(xiàn)象。減弱或消除靶的異?；」夥烹?。因此，提高了濺射過程的工藝穩(wěn)定性，同時，提高了介質(zhì)膜的沉積速率數(shù)倍。

中頻磁控濺射鍍膜設(shè)備除了在制備金屬膜時具有較高的穩(wěn)定性外，在沉積氮化物、氧化物等介質(zhì)膜時，解決了過去直流磁控濺射中弧光放電和陽極消失等問題，并具濺射速率快等優(yōu)點(diǎn)，它能夠在長時間內(nèi)獲得較高的沉積速率和維持穩(wěn)定的鍍膜狀態(tài)。一種中頻反應(yīng)磁控濺射設(shè)備二氧化硅膜設(shè)備，包括真空鍍膜室、雙靶、反應(yīng)氣體供氣管道、工作氣體供氣管道、中頻電源、壓電閥控制器和壓電閥，雙靶裝在屏蔽罩內(nèi)，真空鍍膜室內(nèi)的反應(yīng)氣體供氣管道位于雙靶的對稱中心線上，中頻電源的兩個輸出端各接到一個靶上，中頻電源的控制線壓電閥控制器，壓電閥和反應(yīng)氣體供氣管道構(gòu)成閉環(huán)控制回路。

       我公司研發(fā)了平面靶，圓柱靶，孿生靶，對靶等多種形式的中頻濺射靶結(jié)構(gòu)和布局。該類設(shè)備廣泛應(yīng)用于表殼、表帶、手機(jī)殼、高爾夫球具、五金、餐具等鍍TiN、TiC、TICN、TiAIN、CrN等各種裝飾鍍層。

更多產(chǎn)品詳細(xì)：http://

了解更多價(jià)格：http://