正向壽命試驗臺
系統(tǒng)概述
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT）作為功率開關器件，具有載流密度大、飽和壓降低等
許多優(yōu)點，
但是由于其長期工作在高電壓、大電流、高頻開關狀態(tài)等且運行環(huán)境復雜，IGBT功耗和結(jié)溫頻繁波動容易造成器件疲勞老化。目前國內(nèi)外溫度循環(huán)引起的器件失效機理已進行了深入研究，在此基礎上正積極發(fā)展功率模塊壽命預測技術(shù)以提高變流器運行可靠性。
技術(shù)指標
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測試參數(shù) VF |
0.01～20V 0.01～10V&plu***n;3%&plu***n;0.01V 10～20V&plu***n;3%&plu***n;0.1V |
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測試條件 |
正向電流：1mA～60A 直流方波 |
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脈寬 |
50uS-1mS |
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工位 |
20只 |
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測試方法 |
器件在特定溫度下存儲一定時間后，在設定電流后 按規(guī)定施加條件對被試器件依次進行測試，測試間 隔時間約100mS |