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企業(yè)資質(zhì)

河北宇昊納米材料有限公司

普通會員14
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企業(yè)等級:普通會員
經(jīng)營模式:
所在地區(qū):河北 石家莊
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企業(yè)概況

河北宇昊納米材料有限公司簡介河北宇昊納米材料有限公司成立于2010年,是一家專業(yè)從事超精密拋光材料的研究開發(fā)、生產(chǎn)銷售的高新公司。我公司采用臺灣平坦化技術(shù)協(xié)會技術(shù),擁有強大的研發(fā)團(tuán)隊;同時根據(jù)最新GB50073-2001標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了萬級潔凈廠房設(shè)計和建造;公司擁有管理水平一流的生產(chǎn)管理團(tuán)隊和服務(wù)水平一......

led拋光液 藍(lán)寶石拋光液 河北宇昊納米材料有限公司

產(chǎn)品編號:3933828                    更新時間:2014-02-26
價格: 來電議定

河北宇昊納米材料有限公司

  • 主營業(yè)務(wù):led襯底窗口拋光液 藍(lán)寶石拋光液 硅材料拋光液 計算機(jī)硬盤...
  • 公司官網(wǎng):www.hbyuhao.com
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產(chǎn)品詳情

 

 

 

河北宇昊納米材料有限公司簡介

河北宇昊納米材料有限公司成立于2010年,是一家***從事超精密拋光材料的研究開發(fā)、生產(chǎn)銷售的高新公司。

我公司采用臺灣平坦化技術(shù)協(xié)會技術(shù),擁有強大的研發(fā)團(tuán)隊;同時根據(jù)***新GB 50073-2001標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了級潔凈廠房設(shè)計和建造;公司擁有管理水平***的生產(chǎn)管理團(tuán)隊和服務(wù)水平***的銷售***團(tuán)隊。

我公司秉承研發(fā)***、生產(chǎn)***、服務(wù)***的企業(yè)宗旨,致力成為國內(nèi)微電子、光電子、藍(lán)寶石行業(yè)的合作伙伴;致力于用新技術(shù)實現(xiàn)對國外同類產(chǎn)品質(zhì)量的超越,為您的企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)優(yōu)價的產(chǎn)品,以達(dá)到企業(yè)的共同發(fā)展與共贏。

為了我公司長久的發(fā)展,也為了您有一個穩(wěn)定的供應(yīng)商,我公司已將ISO14001的環(huán)境體系認(rèn)證,ISO9000質(zhì)量管理體系認(rèn)證列入了公司計劃。

我公司的主要產(chǎn)品有:硅材料拋光液系列、藍(lán)寶石拋光液系列、計算機(jī)硬盤基片拋光液、石英玻璃拋光液、微晶玻璃拋光液、硅材料清洗劑、藍(lán)寶石清洗劑等。同時還可以根據(jù)客戶的標(biāo)準(zhǔn)開發(fā)特異型拋光液產(chǎn)品。

我們認(rèn)為優(yōu)良的產(chǎn)品取決于生產(chǎn)管控,為保證產(chǎn)品質(zhì)量,我們建立了嚴(yán)格的質(zhì)量管控體系,從原料采購開始進(jìn)行全程管控,生產(chǎn)過程每道工序互為客戶,不合格品***會流到下工序,從而保證了每批產(chǎn)品的品質(zhì);同時我們建立了嚴(yán)格的抽檢程序,抽樣方法高于***GB2828抽樣標(biāo)準(zhǔn),試驗室配備了***的技術(shù)人員和檢驗設(shè)備,嚴(yán)把產(chǎn)品出廠關(guān)。

我們認(rèn)為客戶永遠(yuǎn)是對的,我們的技術(shù)和***人員很高興為您解決產(chǎn)品技術(shù)方面的問題, 感謝您的支持與惠顧!

YH/02型藍(lán)寶石襯底材料拋光液

技術(shù)領(lǐng)域

藍(lán)寶石襯底材料的拋光液。

背景技術(shù)

藍(lán)寶石單晶(Sapphire),又稱白寶石,分子式為Al2O3,透明,與天然寶石具有相同的光學(xué)特性和力學(xué)性能,有著很好的熱特性,***的電氣特性和介電特性,并且防化學(xué)腐蝕,對紅外線透過率高,有很好的耐磨性,硬度僅次于金剛石,達(dá)莫氏9級,在高溫下仍具有較好的穩(wěn)定性,熔點為2030℃,所以被廣泛應(yīng)用于工業(yè)、國防、科研等領(lǐng)域,越來越多地用作固體激光、紅外窗口、半導(dǎo)體芯片的襯底片、精密耐磨軸承等高技術(shù)領(lǐng)域中零件的制造材料。

作為繼Si、GaAs之后的第三代半導(dǎo)體材料的GaN,其在器件上的應(yīng)用被視為20世紀(jì)90年代后半導(dǎo)體***重大的事件,它使半導(dǎo)體發(fā)光二極管與激光器上了一個新臺階,由于GaN很難制備體材料,必須在其它襯底材料上生長薄膜,作為GaN的襯底材料有多種,包括藍(lán)寶石、碳化硅、硅、氧化鎂、氧化鋅等,其中藍(lán)寶石是***主要的襯底材料,目前已能在藍(lán)寶石上外延出高質(zhì)量的GaN材料,并已研制出GaN基藍(lán)色發(fā)光二極管及激光二極管。

藍(lán)寶石由于其硬度高且脆性大,機(jī)械加工困難。而藍(lán)寶石襯底是目前***為普遍的一種襯底材料,作為襯底材料對晶體表面提出了超光滑的要求。研究表明器件的質(zhì)量很大程度上依賴于襯底的表面加工。尤其對用于GaN生長的藍(lán)寶石襯底片精密加工技術(shù)更加復(fù)雜,是目前***研究的難題。隨著光電技術(shù)的飛速發(fā)展,光電產(chǎn)品對藍(lán)寶石襯底材料需求量的日益增加,為了滿足藍(lán)寶石光學(xué)器件發(fā)展的需求,藍(lán)寶石化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical-Mechanical Polishing,簡稱CMP)的機(jī)理及技術(shù)和相關(guān)CMP漿料的選擇成為急待解決的重要問題.

目前國內(nèi)在藍(lán)寶石批量生產(chǎn)的技術(shù)還很不成熟,在生產(chǎn)藍(lán)寶石襯底片的時候產(chǎn)生裂痕和崩邊現(xiàn)象的襯底片占總數(shù)比例比較高,占總數(shù)的5%~8%,在之后的研磨和拋光工序中所能夠達(dá)到的拋光和研磨速率也很低,并且很多經(jīng)過加工之后的藍(lán)寶石片由于表面劃痕較重,有20%左右的寶石片表面有粗深痕跡,需要重新研磨拋光,從而導(dǎo)致返工,而部分經(jīng)過返工的藍(lán)寶石片由于研磨拋光過度,導(dǎo)致厚度過薄而報廢,這樣就大大提高了藍(lán)寶石襯底片加工的成本。

產(chǎn)品內(nèi)容

本產(chǎn)品是解決公知藍(lán)寶石襯底材料拋光液在拋光過程中存在的襯底片表面去除速率低、粗糙度高、易劃傷、易蹋邊等問題,而公開一種化學(xué)作用強、去除速率快、表面粗糙度低、無劃傷,且成本低的藍(lán)寶石襯底材料拋光液。

本產(chǎn)品中各組分的作用分別為:

納米硅溶膠作為拋光液磨料,其粒徑小(20~30nm)、濃度高(>35%)、硬度小(對基片損傷度?。?、分散度好,能夠達(dá)到高速率高平整低損傷拋光、污染小,解決了Al2O3磨料硬度大易劃傷、易沉淀等諸多弊端;

胺堿作為拋光液pH調(diào)節(jié)劑,可起到緩沖劑的作用,又可生成大分子產(chǎn)物且溶于水,使反應(yīng)產(chǎn)物在小的機(jī)械作用下即可脫離加工表面,同時還能起到緩蝕、絡(luò)合等作用,同時具有優(yōu)良去除金屬離子的性能,降低待加工片的表面金屬離子沾污。

表面活性劑可降低表面張力,提高凹凸選擇比,又能起到滲透和潤滑作用,從而有效的提高了交換速率,增強了輸運過程,達(dá)到高平整高光潔表面。

本產(chǎn)品的有益效果和優(yōu)點:

1.選用堿性拋光液,可對設(shè)備無腐蝕,硅溶膠穩(wěn)定性好,解決了酸性拋光液污染重、易凝膠等諸多弊端;利用基片材料的***性,pH值9以上時,易生成可溶性的化合物,從而易脫離表面;

2.選用納米SiO2溶膠作為拋光液磨料,其粒徑小(20-30nm)、濃度高(>35%)、硬度?。▽瑩p傷度小)、分散度好,能夠達(dá)到高速率高平整低損傷拋光、污染小,解決了Al2O3磨料硬度大易劃傷、易沉淀等諸多弊端;

3.選用表面活性劑的應(yīng)用,增加了高低選擇比,大大降低了表面張力、減小了損傷層、提高了基片表面的均一性、使得表面凹凸差大大降低,從而有效的提高了交換速率,增強了輸運過程,達(dá)到高平整高光潔表面

4.選用有機(jī)堿作為拋光液pH調(diào)節(jié)劑,可起到緩沖劑的作用,又可生成大分子產(chǎn)物且溶于水,使反應(yīng)產(chǎn)物在小的機(jī)械作用下即可脫離加工表面,同時還能起到絡(luò)合及螯合作用。

 

 

YH/02藍(lán)寶石襯底材料拋光液技術(shù)指標(biāo)

 

項目 Item

規(guī)格 Specificati***

磨料 SiO2 Material

粒徑20-30nm

加工藍(lán)寶石晶向    Orientation

C軸(0001&plu***n; 0.2°

粘度viscosity

4CP

稀釋度

1: 1~1:3

PHPH value

>10.2

磨料含量Abrasive content

>30

去除速率 MRR

5-12um/h

加工后總厚度偏差 TTV

 25μm

加工后翹曲度   BOW

 20μm

加工后表面粗糙度Surface Roughness(Sq)

Sq0.3nm

 

表面粗糙度的測定

加工前后原子力顯微鏡(AFM)掃描圖(安捷倫5600ls檢測

 

AFM surface view before CMP

AFM surface view after CMP

加工前后原子力顯微鏡(AFM)參數(shù)(安捷倫5600ls檢測

 

 

 

Before CMP

After CMP

Sq 

16.8 nm

0.221 nm

Ssk

-0.0822

0.0366

Sku

3.71

2.23

Sq

86.3 nm

2.94 nm

Sv

81.2 nm

1.34 nm

Sz

168 nm

4.28 nm

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