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西安盛景達(dá)電子

普通會(huì)員17
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企業(yè)等級(jí):普通會(huì)員
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所在地區(qū):陜西 西安
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西安盛景達(dá)電子位于西安市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),專業(yè)代理國外著名廠家電子元器件及其傳感和控制產(chǎn)品.盛景達(dá)電子所提供的產(chǎn)品在保證質(zhì)量,價(jià)格優(yōu)勢(shì),技術(shù)支持,售后服務(wù)等方面均得到世界各地用戶的一致好評(píng);特別是在中國電力、通訊領(lǐng)域等電子工廠、科學(xué)設(shè)計(jì)院、研究所及經(jīng)銷商和專業(yè)電子市場(chǎng)均享有良好的商業(yè)信譽(yù)。盛景達(dá)電......

相關(guān)產(chǎn)品

DS18B20

產(chǎn)品編號(hào):2168283                    更新時(shí)間:2020-08-13
價(jià)格: ¥8.00
西安盛景達(dá)電子

西安盛景達(dá)電子

  • 主營業(yè)務(wù):電子元器件及其傳感和控制產(chǎn)品
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產(chǎn)品詳情

DS18B20

 
 
  TS-18B20 數(shù)字溫度傳感器()
 
  本公司***新推出TS-18B20數(shù)字溫度傳感器,該產(chǎn)品采用美國DALLAS公司生產(chǎn)的 DS18B20可組網(wǎng)數(shù)字溫度傳感器芯片封裝而成,具有耐磨耐碰,體積小,使用方便,封裝形式多樣,適用于各種狹小空間設(shè)備數(shù)字測(cè)溫和控制領(lǐng)域。
 
  1: 技術(shù)性能描述
 
  1.1 獨(dú)特的單線接口方式,DS18B20在與微處理器連接時(shí)僅需要一條口線即可實(shí)現(xiàn)微處理器與DS18B20的雙向通訊。
 
  1.2 測(cè)溫范圍 -55℃~+125℃,固有測(cè)溫分辨率0.5℃。
 
  1.3 支持多點(diǎn)組網(wǎng)功能,多個(gè)DS18B20可以并聯(lián)在***的三線上,實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)測(cè)溫
 
  1.4 工作電源: 3~5V/DC
 
  1.5 在使用中不需要任何外圍元件
 
  1.6 測(cè)量結(jié)果以9~12位數(shù)字量方式串行傳送
 
  1.7 不銹鋼保護(hù)管直徑 Φ6
 
  1.8 適用于DN15~25, DN40~DN250各種介質(zhì)工業(yè)管道和狹小空間設(shè)備測(cè)溫
 
  1.9 標(biāo)準(zhǔn)安裝螺紋 M10X1, M12X1.5, G1/2”任選
 
  1.10 PVC電纜直接出線或德式球型接線盒出線,便于與其它電器設(shè)備連接。
 
  2:應(yīng)用范圍
 
  2.1 該產(chǎn)品適用于冷凍庫,糧倉,儲(chǔ)罐,電訊機(jī)房,電力機(jī)房,電纜線槽等測(cè)溫和控制領(lǐng)域
 
  2.2 軸瓦,缸體,紡機(jī),空調(diào),等狹小空間工業(yè)設(shè)備測(cè)溫和控制。
 
  2.3 汽車空調(diào)、冰箱、冷柜、以及中低溫干燥箱等。
 
  2.5 供熱/制冷管道熱量計(jì)量,***空調(diào)分戶熱能計(jì)量和工業(yè)領(lǐng)域測(cè)溫和控制
 
  3:產(chǎn)品型號(hào)與規(guī)格
 
  型 號(hào) 測(cè)溫范圍 安裝螺紋 電纜長(zhǎng)度 適用管道
 
  TS-18B20 -55~125 無 1.5 m
 
  TS-18B20A -55~125 M10X1 1.5m DN15~25
 
  TS-18B20B -55~125 1/2”G 接線盒 DN40~ 60
 
  4:接線說明
 
  特點(diǎn) 獨(dú)特的一線接口,只需要一條口線通信 多點(diǎn)能力,簡(jiǎn)化了分布式溫度傳感應(yīng)用 無需外部元件 可用數(shù)據(jù)總線供電,電壓范圍為3.0 V至5.5 V 無需備用電源 測(cè)量溫度范圍為-55 ° C至+125 ℃ 。華氏相當(dāng)于是-67 ° F到257華氏度 -10 ° C至+85 ° C范圍內(nèi)精度為&plu***n;0.5 ° C
 
  溫度傳感器可編程的分辨率為9~12位 溫度轉(zhuǎn)換為12位數(shù)字格式***大值為750毫秒 用戶可定義的非易失性溫度報(bào)警設(shè)置 應(yīng)用范圍包括恒溫控制,工業(yè)系統(tǒng),消費(fèi)電子產(chǎn)品溫度計(jì),或任何熱敏感系統(tǒng)
 
  描述該DS18B20的數(shù)字溫度計(jì)提供9至12位(可編程設(shè)備溫度讀數(shù)。信息被發(fā)送到/從DS18B20 通過1線接口,所以***微處理器與DS18B20只有一個(gè)一條口線連接。為讀寫以及溫度轉(zhuǎn)換可以從數(shù)據(jù)線本身獲得能量,不需要外接電源。 因?yàn)槊恳粋€(gè)DS18B20的包含一個(gè)獨(dú)特的序號(hào),多個(gè)ds18b20s可以同時(shí)存在于一條總線。這使得溫度傳感器放置在許多不同的地方。它的用途很多,包括空調(diào)環(huán)境控制,感測(cè)建筑物內(nèi)溫設(shè)備或機(jī)器,并進(jìn)行過程監(jiān)測(cè)和控制。
 
  8引腳封裝 TO-92封裝 用途 描述
 
  5 1 接地 接地
 
  4 2 數(shù)字 信號(hào)輸入輸出,一線輸出:源極開路
 
  3 3 電源 可選電源管腳。見"寄生功率"一節(jié)細(xì)節(jié)方面。電源必須接地,為行動(dòng)中,***功率模式。
 
  不在本表中所有管腳不須接線 。
 
  概況框圖圖1顯示的主要組成部分DS18B20的。DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成:64位光刻ROM、溫度傳感器、非揮發(fā)的溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL、配置寄存器。該裝置信號(hào)線高的時(shí)候,內(nèi)部電容器 儲(chǔ)存能量通由1線通信線路給片子供電,而且在低電平期間為片子供電直至下一個(gè)高電平的到來重新充電。 DS18B20的電源也可以從外部3V-5 .5V的電壓得到。
 
  DS18B20采用一線通信接口。因?yàn)橐痪€通信接口,必須在先完成ROM設(shè)定,否則記憶和控制功能將無法使用。主要首先提供以下功能命令之一: 1 )讀ROM, 2 )ROM匹配, 3 )搜索ROM, 4 )跳過ROM, 5 )報(bào)警檢查。這些指令操作作用在沒有一個(gè)器件的64位光刻ROM序列號(hào),可以在掛在一線上多個(gè)器件選定某一個(gè)器件,同時(shí),總線也可以知道總線上掛有有多少,什么樣的設(shè)備。
 
  若指令成功地使DS18B20完成溫度測(cè)量,數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在DS18B20的存儲(chǔ)器。一個(gè)控制功能指揮指示DS18B20的演出測(cè)溫。測(cè)量結(jié)果將被放置在DS18B20內(nèi)存中,并可以讓閱讀發(fā)出記憶功能的指揮,閱讀內(nèi)容的片上存儲(chǔ)器。溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL都有一字節(jié)EEPROM 的數(shù)據(jù)。如果DS18B20不使用報(bào)警檢查指令,這些寄存器可作為一般的用戶記憶用途。在片上還載有配置字節(jié)以理想的解決溫度數(shù)字轉(zhuǎn)換。寫TH,TL指令以及配置字節(jié)利用一個(gè)記憶功能的指令完成。通過緩存器讀寄存器。所有的數(shù)據(jù)都讀,寫都是從***低位開始。
 
  DS18B20有4個(gè)主要的數(shù)據(jù)部件:
 
 ?。?)光刻ROM中的64位序列號(hào)是出廠前被光刻好的,它可以看作是該DS18B20的地址序列碼。64位光刻ROM的排列是:開始8位(28H)是產(chǎn)品類型標(biāo)號(hào),接著的48位是該DS18B20自身的序列號(hào),***后8位是前面56位的循環(huán)冗余校驗(yàn)碼(CRC=X8+X5+X4+1)。光刻ROM的作用是使每一個(gè)DS18B20都各不相同,這樣就可以實(shí)現(xiàn)一根總線上掛接多個(gè)DS18B20的目的。
 
  (2) DS18B20中的溫度傳感器可完成對(duì)溫度的測(cè)量,以12位轉(zhuǎn)化為例:用16位符號(hào)擴(kuò)展的二進(jìn)制補(bǔ)碼讀數(shù)形式提供,以0.0625℃/LSB形式表達(dá),其中S為符號(hào)位。
 
  表1 DS18B20溫度值格式表
 
  4.3.1
 
  DS18B20的管腳排列如圖4.4所示。
 
  圖4.4DS18B20的管腳排列如圖
 
  DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)主要由四部分組成:64位光刻ROM,溫度傳感器,溫度報(bào)警觸發(fā)器TH和TL,配置寄存器。DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖如圖4.5所示。
 
  圖4.5 DS18B20內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖
 
  4.3.2存儲(chǔ)器
 
  DS18B20的存儲(chǔ)器包括高速暫存器RAM和可電擦除RAM,可電擦除RAM又包括溫度觸發(fā)器TH和TL,以及一個(gè)配置寄存器。存儲(chǔ)器能完整的確定一線端口的通訊,數(shù)字開始用寫寄存器的命令寫進(jìn)寄存器,接著也可以用讀寄存器的命令來確認(rèn)這些數(shù)字。當(dāng)確認(rèn)以后就可以用***寄存器的命令來將這些數(shù)字轉(zhuǎn)移到可電擦除RAM中。當(dāng)修改過寄存器中的數(shù)時(shí),這個(gè)過程能確保數(shù)字的完整性。
 
  高速暫存器RAM是由8個(gè)字節(jié)的存儲(chǔ)器組成;***和第二個(gè)字節(jié)是溫度的顯示位。第三和第四個(gè)字節(jié)是***TH和TL,同時(shí)第三和第四個(gè)字節(jié)的數(shù)字可以更新;第五個(gè)字節(jié)是***配置寄存器,同時(shí)第五個(gè)字節(jié)的數(shù)字可以更新;六、七、八三個(gè)字節(jié)是計(jì)算機(jī)自身使用。用讀寄存器的命令能讀出第九個(gè)字節(jié),這個(gè)字節(jié)是對(duì)前面的八個(gè)字節(jié)進(jìn)行校驗(yàn)。存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)圖如圖4.6所示。
 
  圖4.6 存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)圖
 
  4.3.3 64-位光刻ROM
 
  64位光刻ROM的前8位是DS18B20的自身代碼,接下來的48位為連續(xù)的數(shù)字代碼,***后的8位是對(duì)前56位的CRC校驗(yàn)。64-位的光刻ROM又包括5個(gè)ROM的功能命令:讀ROM,匹配ROM,跳躍ROM,查找ROM和報(bào)警查找。64-位光刻ROM的結(jié)構(gòu)圖如圖4.7所示。
 
  圖4.7位64-位光刻ROM的結(jié)構(gòu)圖
 
  4.3.4 DS18B20外部電源的連接方式
 
  DS18B20可以使用外部電源VDD,也可以使用內(nèi)部的寄生電源。當(dāng)VDD端口接3.0V—5.5V的電壓時(shí)是使用外部電源;當(dāng)VDD端口接地時(shí)使用了內(nèi)部的寄生電源。無論是內(nèi)部寄生電源還是外部供電,I/O口線要接5KΩ左右的上拉電阻。 連接圖如圖4.8、圖4.9所示。
 
  圖4.8 使用寄生電源的連接圖
 
  圖4.9外接電源的連接圖
 
  4.3.4 DS18B20溫度處理過程
 
  4.3.4.1配置寄存器
 
  配置寄存器是配置不同的位數(shù)來確定溫度和數(shù)字的轉(zhuǎn)化。配置寄存器的結(jié)構(gòu)圖如圖4.10所示。
 
  圖4.10 配置寄存器的結(jié)構(gòu)圖
 
  由圖4.9可以知道R1,R0是溫度的決***,由R1,R0的不同組合可以配置為9位,10位,11位,12位的溫度顯示。這樣就可以知道不同的溫度轉(zhuǎn)化位所對(duì)應(yīng)的轉(zhuǎn)化時(shí)間,四種配置的分辨率分別為0.5℃,0.25℃,0.125℃和0.0625℃,出廠時(shí)以配置為12位。溫度的決定配置圖如圖8所示。
 
  圖4.11 溫度的決定配置圖
 
  4.3.4.2 溫度的讀取
 
  DS18B20在出廠時(shí)以配置為12位,讀取溫度時(shí)共讀取16位,所以把后11位的2進(jìn)制轉(zhuǎn)化為10進(jìn)制后在乘以0.0625便為所測(cè)的溫度,還需要判斷正負(fù)。前5個(gè)數(shù)字為符號(hào)位,當(dāng)前5位為1時(shí),讀取的溫度為負(fù)數(shù);當(dāng)前5位為0時(shí),讀取的溫度為正數(shù)。16位數(shù)字?jǐn)[放是從低位到高位,溫度的關(guān)系圖如圖4.12所示。
 
  圖4.12為溫度的關(guān)系圖
 
  4.3.4.3.DS18B20控制方法
 
  DS18B20有六條控制命令,如表4.1所示:
 
  表4.1 為DS18B20有六條控制命令
 
  指 令 約定代碼 操 作 說 明
 
  溫度轉(zhuǎn)換 44H 啟動(dòng)DS18B20進(jìn)行溫度轉(zhuǎn)換
 
  讀暫存器 BEH 讀暫存器9個(gè)字節(jié)內(nèi)容
 
  寫暫存器 4EH 將數(shù)據(jù)寫入暫存器的TH、TL字節(jié)
 
  ***暫存器 48H 把暫存器的TH、TL字節(jié)寫到E2RAM中
 
  重新調(diào)E2RAM B8H 把E2RAM中的TH、TL字節(jié)寫到暫存器TH、TL字節(jié)
 
  讀電源供電方式 B4H 啟動(dòng)DS18B20發(fā)送電源供電方式的信號(hào)給主CPU
 
  4.3.4.4 DS18B20的初始化
 
 ?。?) 先將數(shù)據(jù)線置高電平“1”。
 
 ?。?) ***(該時(shí)間要求的不是很嚴(yán)格,但是盡可能的短一點(diǎn))
 
 ?。?) 數(shù)據(jù)線拉到低電平“0”。
 
  (4) ***750微秒(該時(shí)間的時(shí)間范圍可以從480到960微秒)。
 
 ?。?) 數(shù)據(jù)線拉到高電平“1”。
 
 ?。?) ***等待(如果初始化成功則在15到60毫秒時(shí)間之內(nèi)產(chǎn)生一個(gè)由DS18B20所返回的低電平“0”。據(jù)該狀態(tài)可以來確定它的存在,但是應(yīng)注意不能無限的進(jìn)行等待,不然會(huì)使程序進(jìn)入死循環(huán),所以要進(jìn)行超時(shí)控制)。
 
 ?。?) 若CPU讀到了數(shù)據(jù)線上的低電平“0”后,還要做***,其***的時(shí)間從發(fā)出的高電平算起(第(5)步的時(shí)間算起)***少要480微秒。
 
 ?。?) 將數(shù)據(jù)線再次拉高到高電平“1”后結(jié)束。
 
  其時(shí)序如圖4.13所示:
 
  圖4.13 初始化時(shí)序圖
 
  4.3.4.5 DS18B20的寫操作
 
 ?。?) 數(shù)據(jù)線先置低電平“0”。
 
  (2) ***確定的時(shí)間為15微秒。
 
 ?。?) 按從低位到高位的順序發(fā)送字節(jié)(一次只發(fā)送一位)。
 
 ?。?) ***時(shí)間為45微秒。
 
  (5) 將數(shù)據(jù)線拉到高電平。
 
 ?。?) 重復(fù)上(1)到(6)的操作直到所有的字節(jié)全部發(fā)送完為止。
 
  (7) ***后將數(shù)據(jù)線拉高。
 
  DS18B20的寫操作時(shí)序圖如圖4.14所示。
 
  圖4.14 DS18B20的寫操作時(shí)序圖
 
  4.3.4.6 DS18B20的讀操作
 
 ?。?)將數(shù)據(jù)線拉高“1”。
 
  (2)***2微秒。
 
 ?。?)將數(shù)據(jù)線拉低“0”。
 
 ?。?)***15微秒。
 
 ?。?)將數(shù)據(jù)線拉高“1”。
 
 ?。?)***15微秒。
 
 ?。?)讀數(shù)據(jù)線的狀態(tài)得到1個(gè)狀態(tài)位,并進(jìn)行數(shù)據(jù)處理。
 
  (8)***30微秒。
 

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