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企業(yè)資質(zhì)

北京賽米萊德貿(mào)易有限公司

普通會(huì)員6
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企業(yè)等級(jí):普通會(huì)員
經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)加工
所在地區(qū):北京 北京
聯(lián)系賣家:況經(jīng)理
手機(jī)號(hào)碼:15201255285
公司官網(wǎng):www.semild.com
企業(yè)地址:北京市北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)博興九路2號(hào)院5號(hào)樓2層208
本企業(yè)已通過(guò)工商資料核驗(yàn)!
企業(yè)概況

北京賽米萊德貿(mào)易有限公司位于北京市北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū),毗鄰中芯國(guó)際,京東方,RFMD------等半導(dǎo)體、LCD工廠。在半導(dǎo)體,LED,TFT-LCD,太陽(yáng)能光伏領(lǐng)域具有十年以上的進(jìn)口設(shè)備代理和安裝維修經(jīng)驗(yàn)。是一家致力于LED,MEMS,光電半導(dǎo)體,太陽(yáng)能光伏工廠及實(shí)驗(yàn)室所需設(shè)備、耗材的**解決方案......

NR74g 3000PY光刻膠公司的行業(yè)須知

產(chǎn)品編號(hào):2016890743                    更新時(shí)間:2020-10-29
價(jià)格: 來(lái)電議定
 北京賽米萊德貿(mào)易有限公司

北京賽米萊德貿(mào)易有限公司

  • 主營(yíng)業(yè)務(wù):光刻膠
  • 公司官網(wǎng):www.semild.com
  • 公司地址:北京市北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)博興九路2號(hào)院5號(hào)樓2層208

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況經(jīng)理 15201255285

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產(chǎn)品詳情






光刻膠分類


市場(chǎng)上,光刻膠產(chǎn)品依據(jù)不同標(biāo)準(zhǔn),可以進(jìn)行分類。依照化學(xué)反應(yīng)和顯影原理分類,光刻膠可以分為正性光刻膠和負(fù)性光刻膠。使用正性光刻膠工藝,形成的圖形與掩膜版相同;使用負(fù)性光刻膠工藝,形成的圖形與掩膜版相反。

按照感光樹脂的化學(xué)結(jié)構(gòu)分類,光刻膠可以分為①光聚合型,采用烯類單體,在光作用下生成自由基,進(jìn)一步引發(fā)單體聚合,后生成聚合物,具有形成正像的特點(diǎn);②光分解型,采用含有疊氮醌類化合物的材料,其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng),可以制成正性膠;7億元,同比增長(zhǎng)11%,高于國(guó)際市場(chǎng)增速,但***占比仍不足15%,發(fā)展空間巨大。③光交聯(lián)型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu),而起到抗蝕作用,可以制成負(fù)性光刻膠。

按照***波長(zhǎng)分類,光刻膠可分為紫外光刻膠(300~450nm)、深紫外光刻膠(160~280nm)、極紫外光刻膠(EUV,13.5nm)、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等。不同***波長(zhǎng)的光刻膠,其適用的光刻極限分辨率不同,通常來(lái)說(shuō),在使用工藝方法一致的情況下,波長(zhǎng)越小,加工分辨率越佳。芯片光刻的流程詳解(二)所謂光刻,根據(jù)維基百科的定義,這是半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用***和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。


光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復(fù)雜等特征,還需要相應(yīng)光刻機(jī)與之配對(duì)調(diào)試。一般情況下,一個(gè)芯片在制造過(guò)程中需要進(jìn)行10~50道光刻過(guò)程,由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等,不同的光刻過(guò)程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣,即使類似的光刻過(guò)程,不同的廠商也會(huì)有不同的要求。在前烘過(guò)程中,由于溶劑揮發(fā),光刻膠厚度也會(huì)減薄,一般減薄的幅度為10%-20%左右。

針對(duì)不同應(yīng)用需求,光刻膠的品種非常多,這些差異主要通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方來(lái)實(shí)現(xiàn)。因此,通過(guò)調(diào)整光刻膠的配方,滿足差異化的應(yīng)用需求,是光刻膠制造商核心的技術(shù)。

此外,由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小,而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率與***波長(zhǎng)、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。



NR9-3000PYNR74g 3000PY光刻膠公司

二、預(yù)烘和底膠涂覆(Pre-bake and Primer Vapor)

由于光刻膠中含有溶劑,所以對(duì)于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強(qiáng)光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進(jìn)行的。

底膠涂覆增強(qiáng)光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉(zhuǎn)涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。


NR77-25000P,RD8


品牌

產(chǎn)地

型號(hào)

厚度

***

應(yīng)用

加工

特性

Futurrex

美國(guó)

NR71-1000PY

0.7μm~2.1μm

高溫耐受

用于i線***的負(fù)膠

LEDOLED、

顯示器、

MEMS、

封裝、

生物芯片等

金屬和介電

質(zhì)上圖案化,

不必使用RIE

加工器件的永

組成

(OLED顯示

器上的間隔

區(qū))凸點(diǎn)、

互連、空中

連接微通道

顯影時(shí)形成光刻膠倒

梯形結(jié)構(gòu)

厚度范圍:

0.5~20.0 μm

i、g和h線***波長(zhǎng)

對(duì)生產(chǎn)效率的影響:

金屬和介電質(zhì)圖案化

時(shí)省去干法刻蝕加工

不需要雙層膠技術(shù)

NR71-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR71-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR71-6000PY

5.7μm~12.2μm

NR9-100PY

粘度增強(qiáng)

NR9-1500PY

NR9-3000PY

2.8μm~6.3μm

NR9-6000PY

NR71G-1000PY

負(fù)膠對(duì) g、h線波長(zhǎng)的靈敏度

NR71G-1500PY

NR71G-3000PY

NR71G-6000PY

NR9G-100PY

0.7μm~2.1μm

NR9G-1500PY

1.3μm~3.1μm

NR9G-3000PY

NR9G-6000PY

耐熱溫度

PR1-500A

0.4μm~0.9μm




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