傳輸線變壓器的一個(gè)基本構(gòu)造單元

傳輸線變壓器的一個(gè)基本構(gòu)造單元是兩條長(zhǎng)度相等，且高頻損耗很小的導(dǎo)線乎行并繞在磁環(huán)上(磁環(huán)是高頻鐵氧體)，具有高導(dǎo)磁(u大)和低損耗的特點(diǎn)。

磁芯類(lèi)型一般有NXO鎳鋅鐵氧體和MXO錳鋅鐵氧體兩系列。

MXO通常用于頻率較低的場(chǎng)合，當(dāng)信號(hào)頻率超過(guò)500K-1MHz用NXO為宜。由傳輸線理論可知，當(dāng)傳輸線阻抗Zc=，傳輸線處于無(wú)反射波的行波狀態(tài)，能量全部送到負(fù)載。

臺(tái)積電加速推進(jìn)3nm工藝：要2020年量產(chǎn)！

據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電3nm工廠通過(guò)環(huán)境評(píng)測(cè)，依據(jù)原定時(shí)程，座3nm廠可望在2020年動(dòng)工，快的話2022年底量產(chǎn)，***半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向新紀(jì)元。

對(duì)于臺(tái)積電來(lái)說(shuō)，加速推進(jìn)3nm工藝，主要原因是，防止對(duì)手三星加快***腳步，同時(shí)也是不希望因?yàn)榄h(huán)評(píng)案不通過(guò)，延緩自家興建晶圓18廠第四到六期新廠的規(guī)劃。

依照臺(tái)積電規(guī)劃藍(lán)圖，3納米應(yīng)可在2021年試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，成為家提供晶圓代工服務(wù)，同時(shí)解決很多AI人工智能芯片***更強(qiáng)大的晶圓代工廠。

臺(tái)積電目前是蘋(píng)果A12、高通驍龍855、華為麒麟980等處理器的代工廠商，而明年年初他們要對(duì)現(xiàn)有的7nm工藝升級(jí)，主要是加入了極紫外光刻(EUV)技術(shù)。

廠家***不老化鐵粉芯溫度特性

鐵粉芯溫度特性

鐵粉芯一般適用-65℃-125℃的溫度范圍，當(dāng)磁性處于較高的溫度環(huán)境中，會(huì)使電感和品質(zhì)因數(shù)（Q）持續(xù)性的降低，這是由于其在制造過(guò)程中使用了有機(jī)粘接劑，如環(huán)氧樹(shù)脂等；當(dāng)使用溫度超過(guò)150℃時(shí)，其材料內(nèi)部的樹(shù)脂會(huì)惡化，使磁性的損耗增大，降低鐵粉芯的使用壽命。這種特性的偏離程度取決于時(shí)間、溫度、磁芯大小、頻率和磁通密度等。***近，高通公司更新了一些主要驍龍Snapdragon處理器的規(guī)格，包括Snapdragon855、Snapdragon845、Snapdragon710、Snapdragon675和Snapdragon670。

鐵粉芯用途：

用于高頻抗流器、功率轉(zhuǎn)換輸出抗流器、EMI噪音濾波器、脈沖變壓器、DC輸入輸出濾波器、調(diào)光抗流器、功率因數(shù)修正電感器、連續(xù)態(tài)返馳電感器的制作。

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