1、設(shè)備簡述

IGBT高溫反偏試驗是在一定溫度條件（125℃）下，按照規(guī)定的時間和電壓，對IGBT施加反偏電壓，從而對器件進(jìn)行質(zhì)量檢驗和耐久性評估的一種主要試驗方法。

ENX2020C 測試系統(tǒng)是專為 IGBT 模塊進(jìn)行高溫反偏試驗而進(jìn)行設(shè)計,是IGBT出廠檢測的重要設(shè)備。該試驗系統(tǒng)可對相應(yīng)的 IGBT 器件進(jìn)行適配器匹配。測試標(biāo)準(zhǔn)符合 MIL-STD-750，IEC60747。本設(shè)備采用計算機(jī)自動控制系統(tǒng)，后臺軟件實時監(jiān)控、自動處理目標(biāo)數(shù)據(jù)，具有測試精度高、操作方便、***等優(yōu)點。

該系統(tǒng)適用于中低壓 IGBT 模塊產(chǎn)品的高溫反偏測試，***大測試電壓為1200V?？梢詫崿F(xiàn)對 IGBT 器件集電極-發(fā)射極電壓 Vce、集電極-發(fā)射極漏電流Ices、殼溫 Tc、時間等各項參數(shù)的檢測，根據(jù)程序設(shè)定自動完成測試，記錄保存測試數(shù)據(jù)并且可以隨時瀏覽導(dǎo)出,系統(tǒng)安全可靠，運行穩(wěn)定。

2、試驗臺概要

2.1、電氣系統(tǒng)額定參數(shù)

A．輸入電壓：380V AC；

B. 輸出電壓：0-1200V DC；

C. 輸出電流：0-150mA；

D. 工作相抵濕度：空氣濕度 < 50%；

E. 環(huán)境溫度：0-40℃。

2.2、加熱及散熱系統(tǒng)

該設(shè)備測試夾具共4個工位，毎路均配置***的加熱及冷卻系統(tǒng)，控溫范圍為：70-150&plu***n;1.0℃，溫度分辨率為0.1℃。散熱器表面溫度升到目標(biāo)溫度控制在40分鐘內(nèi)。

每個工位配有溫度控制系統(tǒng)，配備溫控表顯示實時溫度。如圖溫控表上面為實時溫度，下面為設(shè)定溫度。如需溫控表的詳細(xì)參數(shù)，請咨詢技術(shù)人員索要說明書。

2.3、主系統(tǒng)及其配置

主要配置如下，實際配置需滿足招標(biāo)產(chǎn)品工藝與產(chǎn)能需求。

1．主機(jī)_1_套；

2．試驗工位 4 個；

3．直流電源 1 臺；

4．溫度控制系統(tǒng) 4 套；

5．電參數(shù)（漏電流、電壓）檢測裝置 4 套；

6．工控機(jī)電腦 1 套；

Windows7 操作系統(tǒng)，友好的用戶操作界面，人機(jī)對話，窗口式操作界面，并且保證長時間工作無故障。

7．主機(jī)配備 3 色 LED 警示燈，煙霧報警器，急停開關(guān)，安全聯(lián)鎖。