半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)；通常半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，還占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間。實(shí)施特性參數(shù)分析的***佳工具之一是大功率分立器件測(cè)試設(shè)備，普賽斯半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)J確測(cè)量、n***電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。詳詢18140663476
系統(tǒng)特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)：
單臺(tái)Z大3500V輸出；
單臺(tái)Z大1000A輸出，可并聯(lián)后Z大6000A；
15us的超快電流上升沿；
同步測(cè)量；
國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的自動(dòng)化測(cè)試；
系統(tǒng)指標(biāo)
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項(xiàng)目 |
參數(shù) |
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集電極-發(fā)射極 |
Z大電壓. |
3500V |
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Z大電流 |
6000A |
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精度 |
0.10% |
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大電壓上升沿 |
典型值5ms |
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大電流上升沿 |
典型值15us |
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大電流脈寬 |
50us~500us |
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漏電流測(cè)試量程 |
1nA~100mA |
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柵極-發(fā)射極 |
Z大電壓 |
300V |
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Z大電流 |
1A(直流)/10A(脈沖) |
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精度 |
0.05% |
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Z小電壓分辨率 |
30uV |
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Z小電流分辨率 |
10pA |
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電容測(cè)試 |
典型精度 |
0.5% |
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頻率范圍 |
10Hz~1MHz |
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電容值范圍 |
0.01pF~9.9999F |
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溫控 |
范圍 |
25℃~150℃ |
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精度 |
±1℃ |
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測(cè)試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等
普賽斯大功率分立器件測(cè)試設(shè)備集多種測(cè)量和分析功能一體，可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件（如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測(cè)量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性，uΩ級(jí)電阻，皮安級(jí)電流精準(zhǔn)測(cè)量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容，輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì)，方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。 詳詢一八一四零六六三四七六；
選擇普賽斯儀表的理由
武漢普賽斯是國(guó)內(nèi)***早生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)已經(jīng)過(guò)了市場(chǎng)的考驗(yàn)、市面有近500臺(tái)源表在使用；
普賽斯儀表特色：高電流、高電壓測(cè)試，3500V電壓下可測(cè)量p***漏電流，1000A脈沖電流源15us的超快上升沿。