原因一：顆粒或是膠體堵塞
進(jìn)水顆粒度>5um時(shí)會(huì)造成進(jìn)水流道堵塞，引起模塊內(nèi)部水分分部不均勻，半導(dǎo)體純水設(shè)備定制，從而導(dǎo)致模塊整體性能降低。
建議：在進(jìn)入EDI模塊前段增設(shè)保安過濾器(<0.2um)。
原因二：有機(jī)物堵塞
當(dāng)進(jìn)水有機(jī)物污染TOC或TEA含量超過設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)時(shí)，淡水室的離子交換樹脂和離子膜會(huì)發(fā)生有機(jī)物的堵塞。
建議：采用高PH值的對(duì)淡水室及濃水室循環(huán)清洗。
EDI超純水系統(tǒng)進(jìn)水水質(zhì)指標(biāo)控制措施如下：
EDI超純水系統(tǒng)進(jìn)水水質(zhì)指標(biāo)控制措施如下：進(jìn)水CO2的控制。反滲透前可通過加堿調(diào)節(jié)pH值，盡可能多地去除CO2，半導(dǎo)體純水設(shè)備價(jià)格，也可通過脫氣塔和脫氣膜去除CO2。進(jìn)水硬度控制。結(jié)合CO2去除，RO進(jìn)水可以軟化和加堿。當(dāng)進(jìn)水含鹽量較高時(shí)，半導(dǎo)體純水設(shè)備報(bào)價(jià)，可加入一級(jí)反滲透或納濾結(jié)合脫鹽?！OC控制。結(jié)合其他指標(biāo)要求，增加RO級(jí)別以滿足要求。濁度和污染指數(shù)的控制。濁度和污染指數(shù)是RO系統(tǒng)進(jìn)水控制的主要指標(biāo)之一。合格的RO出水一般都能滿足EDI超純水系統(tǒng)進(jìn)水要求。
超純水設(shè)備出水符合芯片生產(chǎn)用水需求
是指載有集成電路的半導(dǎo)體元件。芯片制造又稱晶圓制造，唐山半導(dǎo)體純水設(shè)備，是在晶圓表面通過物理和化學(xué)工藝步驟形成器件，并用金屬線將器件連接起來形成集成電路的過程。芯片的需求主要來自科技的蓬勃發(fā)展，電子消費(fèi)產(chǎn)品芯片的需求不低于汽車行業(yè)的需求。芯片的生產(chǎn)過程冗長(zhǎng)，對(duì)所有的設(shè)備技術(shù)要求很嚴(yán)格，短時(shí)間解決芯片短缺問題仍然是一個(gè)難題，而如何提高芯片的成品率問題就顯得尤為重要。
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