CT檢測(cè)面探測(cè)器

面探測(cè)器主要有三種類型：高分辨半導(dǎo)體芯片、平板探測(cè)器和圖像增強(qiáng)器。半導(dǎo)體芯片又分為CCD和CMOS。CCD對(duì)X射線不敏感，表面還要覆蓋一層閃爍體將X射線轉(zhuǎn)換成CCD敏感的可見光。

半導(dǎo)體芯片具有小的像素尺寸和大的探測(cè)單元數(shù)，像素尺寸可小到10微米左右，探測(cè)單元數(shù)量取決于硅單晶的大尺寸，一般直徑在50mm以上。因?yàn)樘綔y(cè)單元很小，射線檢測(cè)，信號(hào)幅度也很小，為了增大測(cè)量信號(hào)可以將若干探測(cè)單元合并。

CT檢測(cè)平板探測(cè)器

平板探測(cè)器通常用表面覆蓋數(shù)百微米的閃爍晶體（如CsI）的非晶態(tài)硅或非晶態(tài)硒做成。像素尺寸127 或200μm，平板尺寸大約45cm（18in）。讀出速度大約3～7.5幀/s。優(yōu)點(diǎn)是使用比較簡(jiǎn)單，沒有圖像扭曲。圖像質(zhì)量接近于膠片照相，基本上可以作為圖像增強(qiáng)器的升級(jí)換代產(chǎn)品。主要缺點(diǎn)是表面覆蓋的閃爍晶體不能太厚，射線檢測(cè)報(bào)價(jià)，對(duì)高能X 射線探測(cè)效率低；難以解決散射和竄擾問題，射線檢測(cè)方案，使動(dòng)態(tài)范圍減小。在較高能量應(yīng)用時(shí)，必須對(duì)電子電路進(jìn)行射線屏蔽。一般說使用在150kV以下的低能效果較好。

CT檢測(cè)常用掃描方式介紹

工業(yè)CT常用的掃描方式是平移—旋轉(zhuǎn)(TR)方式和只旋轉(zhuǎn)(RO)方式兩種。只旋轉(zhuǎn)掃描方式無疑具有更高的射線利用效率，可以得到更快的成像速度；然而，射線檢測(cè)機(jī)構(gòu)，平移—旋轉(zhuǎn)的掃描方式的偽像水平遠(yuǎn)低于只旋轉(zhuǎn)掃描方式；可以根據(jù)樣品大小方便地改變掃描參數(shù)（采樣數(shù)據(jù)密度和掃描范圍），特別是檢測(cè)大尺寸樣品時(shí)其優(yōu)越性更加明顯；源—探測(cè)器距離可以較小，提高信號(hào)幅度；以及探測(cè)器通道少可以降低系統(tǒng)造價(jià)便于維護(hù)等。

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