2，  直接水解法即為法，法是目前國(guó)內(nèi)規(guī)模大的4N級(jí)氧化鋁生產(chǎn)方法。目前河北，廣州有廠家用的是這種方法。只能做工業(yè)寶石和低端藍(lán)寶石。這種工藝的主要缺陷在于無(wú)法再次提純，原料是什么級(jí)別，做出來(lái)的氧化鋁，就是什么級(jí)別，不可能超越原料水平。而且在水解過(guò)程中，為了增加反應(yīng)接觸面積，需要把鋁材加工成片料或者粉料，這個(gè)過(guò)程中容易帶進(jìn)Fe，ti、Ni、Zr等雜質(zhì)。而這兩種雜質(zhì)含量多少對(duì)藍(lán)寶石的品質(zhì)影響非常大。

硅片，是制作集成電路的重要材料，通過(guò)對(duì)硅片進(jìn)行光刻、離子注入等手段，可以制成各種半導(dǎo)體器件。用硅片制成的芯片有著驚人的運(yùn)算能力?？茖W(xué)技術(shù)的發(fā)展不斷推動(dòng)著半導(dǎo)體的發(fā)展。自動(dòng)化和計(jì)算機(jī)等技術(shù)發(fā)展，使硅片（集成電路）這種高技術(shù)產(chǎn)品的造價(jià)已降到十分低廉的程度。這使得硅片已廣泛應(yīng)用于航空航天、工業(yè)、農(nóng)業(yè)和，甚至悄悄進(jìn)入每一個(gè)家庭。

地殼中含量達(dá)25.8%的硅元素，為單晶硅的生產(chǎn)提供了取之不盡的源泉。由于硅元素是地殼中儲(chǔ)量豐富的元素之一，對(duì)太陽(yáng)能電池這樣注定要進(jìn)入大規(guī)模市場(chǎng)（mas***arket）的產(chǎn)品而言，儲(chǔ)量的優(yōu)勢(shì)也是硅成為光伏主要材料的原因之一。

測(cè)試流程制定

6）再次同步測(cè)量環(huán)境中太陽(yáng)輻照度、組件溫度及環(huán)境氣溫，確保在IV特性曲線測(cè)量期間，輻照度和溫度并未發(fā)生突變；

7）根據(jù)測(cè)量數(shù)據(jù)，計(jì)算IV特性曲線上大功率點(diǎn)，填充系數(shù)等特征參數(shù)，將所有數(shù)據(jù)打包，存儲(chǔ)于SD卡內(nèi)，本次IV特性曲線掃描結(jié)束。

當(dāng)1組數(shù)據(jù)測(cè)量完成，平臺(tái)可根據(jù)用戶設(shè)定，控制光伏組件工作于開(kāi)路、短路或大功率等狀態(tài)，直到下1次測(cè)量開(kāi)始，可檢測(cè)光伏組件長(zhǎng)期處于特定狀態(tài)工作性能。

為避免環(huán)境輻照度或溫度變化對(duì)所測(cè)IV特性曲線的影響，使所測(cè)曲線更加光滑，能否快速的掃描IV特性曲線至關(guān)重要。在上述測(cè)量流程中，AD轉(zhuǎn)換器對(duì)光伏組件IV特性曲線上每個(gè)點(diǎn)同步測(cè)量時(shí)間約80μs，測(cè)量一組IV特性曲線數(shù)據(jù)需用時(shí)約22ms,一般而言，該測(cè)量時(shí)間內(nèi)幾乎不會(huì)出現(xiàn)環(huán)境輻照度或溫度突變的狀況。

在所測(cè)數(shù)據(jù)存入SD卡之后，DSP同時(shí)將測(cè)量數(shù)據(jù)封裝為UDP包，通過(guò)以太網(wǎng)模塊，經(jīng)由測(cè)試平臺(tái)路由器，發(fā)送至上位機(jī)，上位機(jī)在接收到每個(gè)UDP包后，都給予接收應(yīng)答?；赩B.NET編程技術(shù)，設(shè)計(jì)了上位機(jī)監(jiān)控程序，它與DSP通信，并將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于SQLServer數(shù)據(jù)庫(kù)內(nèi)，便于用戶對(duì)組件戶外長(zhǎng)期工作性能分析和評(píng)估。