薄膜電容器與鋁電容器的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

當(dāng)需要在兩種技術(shù)中間進(jìn)行選擇時(shí)，性能并不是全部考慮因素，元件的尺寸也很重要，價(jià)格也是一個(gè)因素。要始終牢記的是薄膜電容器和鋁電容器如何達(dá)到預(yù)期的效果？

鋁電容器的空間效率肯定比薄膜電容器要高。一個(gè)470 μF/450 V鋁電容器的體積只有一個(gè)470 μF/450 V薄膜電容器的15%。

另一方面，鋁電容器的壽命有限，損耗更大。對(duì)于一個(gè)要求能工作20年或高功率等級(jí)的太陽能逆變器，薄膜電容器因其具有更低的損耗和壽命，是更佳的選擇。

僅就元件成本而言，鋁電容器占有優(yōu)勢，同樣是470 μF/450 V，薄膜電容器的成本是相對(duì)應(yīng)的鋁電容器的5倍甚至更多。然而，鋁電容器一般需要額外的保護(hù)電路。相反，薄膜電容器幾乎不需要用來防止發(fā)生故障的外圍元件。尤其是高功率等級(jí)的太陽能逆變器，能夠處理發(fā)熱問題的電容器是更佳選擇，因?yàn)檫@樣有助于大大降低成本，例如不需要用水來冷卻元器件。

實(shí)驗(yàn)結(jié)果

對(duì)樣機(jī)進(jìn)行檢測的結(jié)果如下：

（1）設(shè)定Vo=13.5V，VH=14.4V。當(dāng)蓄電池電壓低于13.5V時(shí)，充電管完全打開；高于14.4V時(shí)，充電管完全關(guān)斷。在13.5V和14.4V之間為PWM充電方式，輸出脈沖的寬度隨蓄電池電壓的升高而減小。

（2）設(shè)定=11.0V，VR=13.3V。電池電壓處在11.0V和14.4V之間時(shí)，樣機(jī)有穩(wěn)定的直流或／和交流輸出。當(dāng)電壓降低到11.0V以下時(shí)，MCU自動(dòng)切斷輸出，同時(shí)“欠壓”LED點(diǎn)亮。直到蓄電池電壓***到l3.3V后，才可繼續(xù)供電。

（3）蓄電池電壓在11.0V～14.4V之間變化，舊組件回收，負(fù)載在0～100％之間變化時(shí)，逆變器的輸出電壓變動(dòng)不大于額定輸出電壓的5％。

（4）過載在12O一150％范圍內(nèi)時(shí)，樣機(jī)在60S后關(guān)機(jī)。在150～160％范圍內(nèi)時(shí)，樣機(jī)在10s后關(guān)機(jī)。超過60％時(shí)，樣機(jī)立即關(guān)機(jī)。

（5）短路發(fā)生后，樣機(jī)會(huì)立即天機(jī)。

    DSC為控制系統(tǒng)的太陽能并網(wǎng)逆變電源設(shè)計(jì)方案 

    因?yàn)镈SP芯片是DSC關(guān)鍵部件，因此太陽能并網(wǎng)逆變電源設(shè)計(jì)方案都是基于DSP技術(shù)的設(shè)計(jì)方案。恰逢以TMS320C2000TMDSP為典型性運(yùn)用作剖析。由于以TMS320C2000TMDSP的平臺(tái)可以好地回應(yīng)太陽能逆變電源好幾條執(zhí)行線路的即時(shí)考驗(yàn)。所以就讓TMS320C2000TMDSP為典型性運(yùn)用作剖析。該TMS320028xTM，關(guān)鍵32位CPU以150MHz的大工作頻率運(yùn)作，可以有效地實(shí)行在至大功率點(diǎn)一下控制面板所需要的高精密優(yōu)化算法，可保證很高電源轉(zhuǎn)換效率好，而且在嚴(yán)苛與隨時(shí)變化條件下亦是如此。DC/AC轉(zhuǎn)化器引橋的驅(qū)動(dòng)程序由TMS320C2000元器件高度靈活的PWM控制模塊實(shí)行及與片高速12位ADC配合使用，調(diào)整所需要的電流與電壓，從而獲得常見正弦波形。圖3(b)會(huì)用TMS320C2000DSP為控制系統(tǒng)的太陽能并網(wǎng)逆變電源設(shè)計(jì)方案提示框架圖。太陽能并網(wǎng)逆變電源設(shè)計(jì)方案由控制系統(tǒng)和輸出功率主電路兩部分組成。