現(xiàn)價(jià)段,中國(guó)的多晶硅廠家都是直接購(gòu)進(jìn)***,有合成***工序的很少。因?yàn)?**的合成是***和硅粉在高壓高溫下反應(yīng)生成,類(lèi)似于合成氨。所以一方面***性高,另一方面硅粉分離比較成問(wèn)題,還有一方面***也大。本來(lái)一個(gè)年產(chǎn)300噸多晶硅規(guī)模的不要合成***工序就要***一億多,所以一般企業(yè)都不上。
多晶硅的生產(chǎn)工藝主要由高純石英(經(jīng)高溫焦碳還原)→工業(yè)硅(酸洗)→硅粉(加HCL)→SiHCL3(經(jīng)過(guò)粗餾精餾)→高純SiHCL3(和H2反應(yīng)CVD工藝)→高純多晶硅。
化電路板包括電路板主體、電子元件及連接部,電路板主體與連接部相連,連接部表面設(shè)有金屬薄片,金屬薄片上設(shè)有金屬點(diǎn),電路板主體背部設(shè)有加強(qiáng)板,電路板主體內(nèi)部設(shè)有銅錫層。該電路板化性強(qiáng),且利用金屬點(diǎn)來(lái)與外部電子元件電連接,因此不必?fù)?dān)心金屬薄片氧化的問(wèn)題,同時(shí)還可根據(jù)實(shí)際情況選擇電路板的薄厚程度,靈活實(shí)用,另外化電路板還實(shí)現(xiàn)了把銅錫層設(shè)置在基材內(nèi)部,使其方便連接電容。
隨著電子科技的不斷進(jìn)步,大部分電子產(chǎn)品均包含有電路板,其上設(shè)置有許多電子零件,用以達(dá)成電子控制功能。但是目前所使用的電路板在化及靈活運(yùn)用上有所欠缺,同時(shí)不能更好的與外部電子元件進(jìn)行接觸,另外沒(méi)有實(shí)現(xiàn)將電容設(shè)置在電路板主體內(nèi)部的功能。因此,需要對(duì)現(xiàn)有的電路板做出相應(yīng)的改進(jìn),相信通過(guò)這樣的改進(jìn)后,能更好的滿足使用者的需求。
2、多晶硅電池片
多晶硅太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)需要消耗大量的高純硅材料,而制造這些材料工藝復(fù)雜,電耗很大,在太陽(yáng)能電池生產(chǎn)總成本中己超二分之一。目前太陽(yáng)能電池使用的多晶硅材料,多半是含有大量單晶顆粒的集合體,或用廢次單晶硅料和冶金級(jí)硅材料熔化澆鑄而成。其工藝過(guò)程是選擇電阻率為100~300歐姆?厘米的多晶塊料或單晶硅頭尾料,經(jīng)破碎,用1:5的和硝酸混合液進(jìn)行適當(dāng)?shù)母g,然后用去離子水沖洗呈中性,并烘干。用石英坩堝裝好多晶硅料,加入適量硼硅,放人澆鑄爐,在真空狀態(tài)中加熱熔化。熔化后應(yīng)保溫約20分鐘,然后注入石墨鑄模中,待慢慢凝固冷卻后,即得多晶硅錠。這種硅錠可鑄成立方體,以便切片加工成方形太陽(yáng)電池片,可提高材制利用率和方便組裝。多晶硅太陽(yáng)能電池的制作工藝與單晶硅太陽(yáng)能電池差不多,其光電轉(zhuǎn)換效率約12%左右,稍低于單晶硅太陽(yáng)能電池,但是材料制造簡(jiǎn)便,節(jié)約電耗,總的生產(chǎn)成本較低,因此得到大量發(fā)展。