測(cè)試流程制定

如前文所述，單次測(cè)量光伏組件IV特性曲線，需同時(shí)測(cè)量其工作條件下的太陽(yáng)輻照度，組件溫度及環(huán)境溫度。參照IEC 60904-1中相關(guān)內(nèi)容，制定了光伏組件戶外測(cè)試流程，步驟如下：

1）同步測(cè)量環(huán)境中太陽(yáng)輻照度，組件溫度及環(huán)境氣溫，并記錄數(shù)據(jù)；

2）測(cè)量光伏組件開(kāi)路電壓VOC及短路電流ISC，計(jì)算近似大功率點(diǎn)處電壓Vapp =0.8VOC，計(jì)算恒壓模式下測(cè)量點(diǎn)數(shù)NCV；

3）計(jì)算電壓變化步長(zhǎng)ΔV =Vapp/NCV，設(shè)置可編程電子負(fù)載為恒壓工作模式，單晶太陽(yáng)能板電池板價(jià)格，以步長(zhǎng)ΔV 依次測(cè)量IV特性曲線上各點(diǎn)；

4）當(dāng)NCV個(gè)點(diǎn)測(cè)量完成，此時(shí)光伏組件工作電壓為Vapp ，測(cè)量相應(yīng)的工作電流Iapp ，由Iapp 計(jì)算恒流模式下測(cè)量點(diǎn)數(shù)NCC；

5）計(jì)算電流變化步長(zhǎng)ΔI=Iapp/NCC，設(shè)置可編程電子負(fù)載為恒流工作模式，以步長(zhǎng)ΔI 從當(dāng)前工作點(diǎn)繼續(xù)掃描IV特性曲線，直至剩余點(diǎn)測(cè)量完成；

按硅片直徑劃分：　　

硅片直徑主要有3英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸（300mm），目前已發(fā)展到18英寸（450mm）等規(guī)格。直徑越大，在一個(gè)硅片上經(jīng)一次工藝循環(huán)可制作的集成電路芯片數(shù)就越多，每個(gè)芯片的成本也就越低。因此，更大直徑硅片是硅片制各技術(shù)的發(fā)展方向。但硅片尺寸越大，對(duì)微電子工藝設(shè)各、材料和技術(shù)的要求也就越高?！　?/p>

按單晶生長(zhǎng)方法劃分：　　

直拉法制各的單晶硅，稱為CZ硅（片）;磁控直拉法制各的單晶硅，稱為MCZ硅（片）;懸浮區(qū)熔法制各的單晶硅，稱為FZ硅（片）;用外延法在單晶硅或其他單晶襯底上生長(zhǎng)硅外延層，稱為外延（硅片）。

硅片的清潔　　

半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗。微量污染也會(huì)導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機(jī)物和無(wú)機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機(jī)污染包括光刻膠、***殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來(lái)的油脂或纖維。無(wú)機(jī)污染包括***金、銅、鐵、鉻等，嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo)；堿金屬如鈉等，引起嚴(yán)重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、***、微生物、有機(jī)膠體纖維等，會(huì)導(dǎo)致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學(xué)清洗兩種。

特點(diǎn)

播報(bào)PCB之所以能受到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用，是因?yàn)樗泻芏嗟膬?yōu)點(diǎn)，大致如下： [可高密度化多年來(lái)，印制板的高密度一直能夠隨著集成電路集成度的提高和安裝技術(shù)的進(jìn)步而相應(yīng)發(fā)展。 高可靠性通過(guò)一系列檢查、測(cè)試和老化試驗(yàn)等技術(shù)手段，可以保證PCB長(zhǎng)期(使用期一般為20年)而可靠地工作。 可設(shè)計(jì)性對(duì)PCB的各種性能(電氣、物理、化學(xué)、機(jī)械等)的要求，可以通過(guò)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)化、規(guī)范化等來(lái)實(shí)現(xiàn)。這樣設(shè)計(jì)時(shí)間短、效率好。