芯片的背部減薄制程

1. Grinding制程：

對外延片以Lapping的方式雖然加工品質(zhì)較好，但是移除率太低，也只能達到3um/min左右，如果全程使用Lapping的話，加工就需耗時約2h，時間成本過高。目前的解決方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通過鉆石砂輪與減薄機的配合來達到快速減薄的目的。

2. Lapping制程

減薄之后再使用6um左右的多晶鉆石液配合樹脂銅盤，既能達到較高的移除率，又能修復(fù)Grinding制程留下的較深刮傷。一般來說切割過程中發(fā)生裂片都是由于Grinding制程中較深的刮傷沒有去除，因此此時對鉆石液的要求也比較高。

除了裂片之外，有些芯片廠家為了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后還會在外延片背面鍍銅，此時對Lapping之后的表面提出了更高的要求。雖然有些刮傷不會引起裂片，但是會影響背鍍的效果。此時可以采用3um多晶鉆石液或者更小的細微性來進行Lapping制程，以達到更好的表面品質(zhì)。

光伏組件老化箱又稱濕凍試驗箱、光伏濕凍試驗箱等，英崗探針回收，該設(shè)備適用于光伏組件（太陽能電池板）、光伏玻璃、薄膜組件、太陽能電池等做熱循環(huán)、濕凍循環(huán)、高溫高濕雙85試驗，以確認組件能否承受高溫高濕之后隨之的負溫度影響，以及對于溫度重復(fù)變化時引起的疲勞和熱失效，另外確定光伏組件曝露在高濕度下而產(chǎn)生的熱應(yīng)力及能夠抵抗?jié)駳忾L期滲透的能力.是光伏組件行業(yè)必不可少的測試設(shè)備。

YASELINE光伏組件老化箱技術(shù)指標：

溫度范圍：-60℃～+100℃

溫度波動度：±0.5℃

溫度偏差：±2℃

升、降溫速率：按照IEC 61646試驗標準(見0條)

濕度試驗：85℃，85% R.H

濕度范圍：20%～95% R.H

樣品承重：太陽能薄膜組件： 6片 180kg、鋁合金型材置物架：280kg

試驗方法：a.熱循環(huán)試驗  b.濕-凍試驗  c.濕-熱試驗

定時功能：0.1～999.9（H、M、S）可調(diào)

戶外測試平臺設(shè)計方案

2.1 光伏組件戶外性能測試要求

光伏組件輸出特性主要受太陽輻照度及環(huán)境溫度的影響。當光伏組件工作于戶外特定環(huán)境時，需測量環(huán)境輻照度及組件溫度。傳統(tǒng)的IV特性曲線測量方法是使可編程電子負載工作于恒壓或者恒流工作模式，以固定步長掃描，由于光伏組件IV 特性曲線具有類似半導(dǎo)體二極管的對數(shù)曲線形狀，當光伏組件工作于恒流段或恒壓段時，僅利用恒流或恒壓工作模式的電子負載測量將造成曲線相應(yīng)部分的測量點稀少。此外，為測試光伏組件戶外性能，還需根據(jù)用戶設(shè)定，保持被測光伏組件長期工作于開路、短路或大功率等工作狀態(tài)，因此不可使用傳統(tǒng)的現(xiàn)場電容充電或電子負載瞬時測量IV特性曲線的方法。