印刷電路板的制造

凡直徑小于150um以下的孔在業(yè)界被稱為微孔（Microvia），利用這種微孔的幾何結(jié)構(gòu)技術(shù)所作出的電路可以提高組裝、空間利用等等的效益，同時(shí)對(duì)于電子產(chǎn)品的小型化也有其必要性。

對(duì)于這類結(jié)構(gòu)的電路板產(chǎn)品，業(yè)界曾經(jīng)有過多個(gè)不同的名稱來稱呼這樣的電路板。例如：歐美業(yè)者曾經(jīng)因?yàn)橹谱鞯某绦蚴遣捎眯蛄惺降慕?gòu)方式，因此將這類的產(chǎn)品稱為SBU （Sequence Build Up Process）,一般翻譯為“序列式增層法”。至于日本業(yè)者，則因?yàn)檫@類的產(chǎn)品所制作出來的孔結(jié)構(gòu)比以往的孔都要小很多，因此稱這類產(chǎn)品的制作技術(shù)為MVP （Micro Via Process）,一般翻譯為“微孔制程”。也有人因?yàn)閭鹘y(tǒng)的多層板被稱為MLB (MulTIlayer Board),因此稱呼這類的電路板為BUM (Build Up MulTIlayer Board),一般翻譯為“增層式多層板”。

太陽(yáng)電池的分選對(duì)組件的性能及質(zhì)量控制起著極其重要的作用，它將不僅影響到組件的電性能輸出，而且極有可能引起曲線異常和熱斑現(xiàn)象，導(dǎo)致組件的早期失效。本文從測(cè)試設(shè)備的軟、硬件方面著手，詳細(xì)分析了影響電池分選的主要原因，并且針對(duì)每個(gè)主要原因進(jìn)行實(shí)驗(yàn)分析、驗(yàn)證，提出解決方案，終發(fā)現(xiàn)對(duì)電池片fV曲線擬合可以有效地解決電池片分選的問題，并終通過大量的數(shù)據(jù)分析驗(yàn)證方案的有效性，目前這一方法已得到廣泛應(yīng)用。

3、刻蝕

在擴(kuò)散工序，采用背靠背的單面擴(kuò)散方式，硅片的側(cè)邊和背面邊緣不可避免地都會(huì)擴(kuò)散上磷原子。當(dāng)陽(yáng)光照射，P-N結(jié)的正面收集到的光生電子會(huì)沿著邊緣擴(kuò)散有磷的區(qū)域流到P-N結(jié)的背面，造成短路通路。短路通道等效于降低并聯(lián)電阻?？涛g工序是讓硅片邊緣帶有的磷的部分去除干凈，避免了P-N結(jié)短路并且造成并聯(lián)電阻降低。

濕法刻蝕工藝流程：上片→蝕刻槽（H2SO4HNO3HF）→水洗→堿槽（KOH）→水洗→HF槽→水洗→下片

HNO3反應(yīng)氧化生成SiO2，HF去除SiO2?？涛g堿槽的作用是為了拋光未制絨面，使電池片變得光滑；堿槽的主要溶液為KOH；H2SO4是為了讓硅片在流水線上漂浮流動(dòng)起來，并不參與反應(yīng)。

干法刻蝕是用等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕。當(dāng)氣體以等離子體形式存在時(shí)，一方面等離子體中的氣體化學(xué)活性會(huì)變得相對(duì)較強(qiáng)，選擇合適的氣體，就可以讓硅片更快速的進(jìn)行反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)刻蝕；另一方面，可利用電場(chǎng)對(duì)等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速，使等離子體具有一定能量，當(dāng)轟擊硅片的表面時(shí)，硅片材料的原子擊出，可以達(dá)到利用物理上的能量轉(zhuǎn)移來實(shí)現(xiàn)刻蝕的目的。