④ Diode芯片:
圖11為Diode芯片的平面俯視圖,AT102TN03V.8液晶屏,正面為陽極,DV185WHM-NM2液晶屏,背面為陰極。二極管的電流方向是從上至下的,正好與IGBT的電流方向相反。Diode芯片額定電流為235A,每個IGBT由6個Diode并聯(lián)組成,總電流可達1410A,與模塊手冊中的1400A也基本一致。Diode芯片的厚度與IGBT一樣,也為200um。關于Diode芯片更詳細的參數(shù)可以參考手冊[2]。
P320HVN06.0友達32"液晶模組1920×1080 4004000:189/89/89/8916.7MWLEDLVDS
圖5為IGBT模塊的剖面圖,液晶屏,如果去掉黑色外殼以及對外的連接端子,IGBT模塊內部主要包含3個部件,EE101IA-01D液晶屏,散熱基板、DBC基板和硅芯片(包含IGBT芯片和Diode芯片),其余的主要是焊料層和互連導線,用途是將IGBT芯片、Diode芯片、功率端子、控制端子以及DBC連接起來,下面我們對每個部分作簡單介紹:
HV320WHB-N86京東方32"液晶玻璃1366×768 01200:189/89/89/8916.7M無背光Mini LVDS
功率范圍:10KW—120KW,該控制板接線少,控制集中,沒有調試,工作電源電壓為三路交流雙18V/1A及四個22V/0.5A的電源。具有過流,過壓,卻水,多種狀態(tài)指示,并提供開關型霍爾保護接口和線性霍爾保護接
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