這兩個概念主要出半導體加工過程中，的半導體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學機械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。CMP技術(shù)綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。

基本原理：

金屬試樣表面各組成相的電化學電位不同，形成了許多微電勢，在化學溶液中會產(chǎn)生不均勻溶解。在溶解過程中試樣面表層會產(chǎn)生一層氧化膜，試樣表面凸出部分由于粘膜薄，金屬的溶解擴展速度較慢，拋光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能達到十分理想的要求。在低和中等放大倍數(shù)下利用顯微鏡觀察時，這種小的起伏一般在物鏡垂直鑒別能力之內(nèi)，仍能觀察到十分清晰的***

是以***為載體，在適宜的溫度范圍內(nèi)進行化學拋光，通常情況下、(或)，亳州三酸拋光，拋光過程即完成化學拋光方法，將欲拋光的不銹鋼在此溶液中浸泡，當溶液呈現(xiàn)綠色時、代替相應的酸，先將這些鹽類溶于溶有淀粉的水溶液中，然后再將此欲拋光的材料浸入***溶液中，使其表面附著一層溶有上述鹽類的淀粉層，用氯化鈉化學拋光，一般使用或磷酸等氧化劑溶液，在一定的條件下，使工件表面氧化，此氧化層又能逐漸溶人溶液，表面微凸起處氧化較快而較多，三酸拋光價格，而微凹處則被氧化慢而少。同樣凸起處的氧化層又比四處更多、更快地擴散，溶解于酸型溶液中，因此使加工表面逐漸被整平，達到改善工件表面粗糙度或使表面平滑化和光澤化的目的。化學拋光可以大面或多件拋光薄壁、低剛度工件，可以拋光內(nèi)表面和形狀復雜的工件，不需要外加電源、設(shè)備，操作簡單、成本低。其缺點是化學拋光效果比電解拋光效果差，拋光過程中會產(chǎn)生氮氧化合物等環(huán)境污染物，而且拋光液用后處理較麻煩

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