蝕刻是將材料使用化學(xué)反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻和干蝕刻兩類。它可通過***制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)膜去除，在蝕刻時接觸化學(xué)溶液，達(dá)到溶解腐蝕的作用，形成凹凸或者鏤空成型的效果。

早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

    金屬蝕刻表層的光滑度對蝕刻工藝的危害較為大，表層不光滑時，不需蝕刻工藝的一部分刷涂的耐腐蝕膠難以消除整潔，必須蝕刻工藝的位置因?yàn)楸韺硬还饣?，蝕刻工藝出去的刻線也不光滑高低不平，因此在蝕刻工藝以前，金屬表層 要開展打磨拋光，能夠依據(jù)狀況及對商品的規(guī)定制訂出打磨拋光的計(jì)劃方案及采用方式，西藏紫銅蝕刻腐蝕，實(shí)際可參照第二章打磨拋光一部分。

透明導(dǎo)電膜在高透光下同時具有導(dǎo)電性，紫銅蝕刻腐蝕公司，是光電領(lǐng)域中不可或缺的重要工業(yè)基礎(chǔ)材料。隨著光電子器件逐漸向大尺寸、輕薄、柔性、低成本方向發(fā)展，對高性的柔性及可拉伸透明導(dǎo)電膜的需求增長迅速。當(dāng)前廣泛使用的透明導(dǎo)電材料主要為ITO膜或玻璃，但因方阻較高、脆性結(jié)構(gòu)限制了其在柔性光電器件上的使用；而新發(fā)展的基于導(dǎo)電聚合物、碳材料和金屬納米材料的柔性透明導(dǎo)電膜，普遍存在導(dǎo)電性和透過率相互制約的問題，在85%以上的透過率下方阻通常在數(shù)十歐每方塊以上?；阢~箔黃光制程蝕刻的金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜具有高導(dǎo)高透的優(yōu)點(diǎn)受到了行業(yè)廣泛關(guān)注，但工藝復(fù)雜，酸蝕刻工藝與銅離子造成的污染及其高成本也不容忽視。

中國學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所研究員崔錚的印刷電子研究團(tuán)隊(duì)自主研發(fā)了印刷增材制造的嵌入式銀網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜，透過率和導(dǎo)電性可以***調(diào)節(jié)，紫銅蝕刻腐蝕加工，在85%以上透過率下方阻低于10Ω/□，已成功應(yīng)用在觸摸屏上并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化，曾榮獲2014年中國金獎。為進(jìn)一步推廣印刷金屬網(wǎng)格透明導(dǎo)電膜在透明導(dǎo)磁屏蔽、電加熱膜、透明5G天線等更廣領(lǐng)域的應(yīng)用，如何進(jìn)一步在高透過率下大幅度提升導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性能成為團(tuán)隊(duì)的重要研究目標(biāo)。近日，蘇州納米所印刷電子中心蘇文明團(tuán)隊(duì)基于混合式印刷增材制造技術(shù)，優(yōu)化壓印模具結(jié)構(gòu)參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了2：1深寬比和4μm線寬的凹槽結(jié)構(gòu)，再結(jié)合刮填薄層納米銀油墨的種子層，用電籌沉銅技術(shù)在凹槽中填滿致密的銅。由于電沉積過程金屬銅完全限制在凹槽中只能單向生長，紫銅蝕刻腐蝕多少錢，避免了擴(kuò)線，從而獲得高深寬比的銅網(wǎng)格，因而在不影響光透過率的情況下增加了金屬網(wǎng)格的厚度，同時電鍍的網(wǎng)格具有銅本征的高電導(dǎo)，在86%的高透光率下，方塊電阻低至0.03Ω/□，F(xiàn)OM值超過80000，達(dá)際領(lǐng)水平（FOM是透明導(dǎo)電膜的綜合質(zhì)量因素，指光透過與方阻的比值，如ITO的FOM<300）。

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