與數(shù)字IC相比較，模擬IC更具備它自身獨特的屬性

雖然數(shù)字IC和模擬IC同屬于集成電路范疇，但兩者的基本工作原理截然不同，基本的工作原理的差異決定了數(shù)字IC和模擬IC不同的產品特性、設計思路、工藝選擇以及市場分布情況。

模擬集成電路行業(yè)具備以下四大特點：需求端：下游需求分散，產品生命周期較長。AstroalsoincludeLVS/DRCcheckcommands。供給端：偏向于成熟和特種工藝，八寸產線為主供給。競：競爭格局分散，廠商之間競爭壓力小。技術端：行業(yè)技術壁壘較高，重經驗以人為本。模擬IC產品生命周期較長，一旦切入產品便可以獲得穩(wěn)定的芯片出貨量。

需求層面：模擬類產品下游汽車、工業(yè)用途要求以可靠性、安全行為主，偏好性能成熟穩(wěn)定類產品的同時資格認可相對較為嚴格，一般不低于一年半。

供給層面：***制程對于模擬類產品推動作用較小，基本不受摩爾定律推動，因此模擬類產品性能更新迭代較慢。因此模擬類產品生命周期較長，一般不低于10年。的音頻放大器芯片NE5532生命周期長達30年，至今依然是多款音響設備的標配芯片。

IC半導體的基礎知識(四)

P型半導體

在純凈的硅(或鍺)晶體內摻入微量的三價元素硼(或銦)，因硼原子的外層有三個價電子，當它與周圍的硅原子組成共價鍵結構時，會因缺少一個電子而在晶體中產生一個空穴，摻入多少三價元素的雜質原子，就會產生多少空穴。對電路的要求不同數(shù)電：是實現(xiàn)輸入輸出的數(shù)字量之間實現(xiàn)一定的邏輯關系。因此，這種半導體將以空穴導電為其主要導體方式，稱為空穴型半導體，簡稱P型半導體。必須注意的是，產生空穴的同時并沒有產生新的自由電子，但原有的晶體仍會產生少量的電子空穴對。

從以上分析可知，不論是N型半導體還是P型半導體，它們的導電能力是由多子的濃度決定的。溫度越高，電子流動所產生的作用就越大，其徹底***IC內一條通路的時間就越少，即IC的壽命也就越短，這也就是高溫會縮短IC壽命的本質原因?？梢哉J為，多子的濃度約等于摻雜原子的濃度，它受溫度的影響很小。在一塊硅片上采用不同的摻雜工藝，一邊形成N型半導體，一邊形成P型半導體，則在兩種半導體的交界面附近形成PN結；PN結是構成各種半導體器件的基礎。

1.PN結的形成

在一塊硅或鍺的晶片上，采取不同的摻雜工藝，分別形成N型半導體區(qū)和P型半導體區(qū)。針對靜態(tài)時序分析和后中出現(xiàn)的問題，對電路和單元布局進行小范圍的改動。由于N區(qū)的多數(shù)載流子為電子(即電子濃度高)，少子為空穴(空穴濃度低)，而P區(qū)正相反，多數(shù)載流子為空穴(即空穴濃度高)，少子為電子(電子濃度低)；在P區(qū)與N區(qū)的交界面兩側，由于濃度的差別，空穴要從濃度高的P區(qū)向濃度低的N區(qū)擴散，N區(qū)的自由電子要向P區(qū)擴散，由于濃度的差別而引起的運動稱為擴散運動。這樣，在P區(qū)就留下了一些帶負電荷的雜質離子，在N區(qū)就留下了一些帶正電荷的雜質離子，從而形成一個空間電荷區(qū)。這個空間電荷區(qū)就是PN結。在空間電荷區(qū)內，只有不能移動的雜質離子而沒有載流子，所以空間電荷區(qū)具有很高的電阻率。

集成電路Ic

集成電路芯片，簡稱為IC；說白了，便是把一定總數(shù)的常見電子元器件，如電阻器、電容器、晶體三極管等，及其這種元器件中間的聯(lián)線，根據(jù)半導體材料加工工藝集成化在一起的具備特殊作用的電源電路。

集成電路芯片早已在各個領域中充分發(fā)揮著十分關鍵的***，是當代信息社會的根基。Herculus具有進行層次設計的成熟算法，進行flatprocessing的優(yōu)化引擎和自動確定如何進行每個區(qū)域數(shù)據(jù)處理的能力—這些技術縮短了運行時間，提高了驗證的度。集成電路芯片的含意，早已遠遠地超出了其剛問世時的界定范疇，但其關鍵的一部分，依然沒有更改，那便是“集成化”，其所衍化出去的各種各樣課程，大多數(shù)是緊緊圍繞著“集成化哪些”、“怎樣集成化”、“如何處理集成化產生的利與弊”這三個難題來進行的。