數(shù)字IC驗證綜合知識

接口的強大功能：一是簡化模塊之間的連接；二是實現(xiàn)類和模塊之間的通信?？梢哉f接口的功能固然強大，但是問題又來了：

首先，因為事務(wù)交易處理器中的方法采用了層次化應(yīng)用的方式去訪問對應(yīng)端口的信號，所以我們只能為兩個相同功能的接口分別編寫兩個幾乎一樣的事務(wù)交易處理器，為什么呢？因為采用的是層次化的應(yīng)用，假如設(shè)計中的某個引腳名字需要修改，我們只能修改驅(qū)動這個端口的方法！不管是在空氣流通的熱帶區(qū)域中，還是在潮濕的區(qū)域中運輸，潮濕都是顯著增加電子工業(yè)開支的原因。這樣還是有點繁瑣，那么sv中有了虛接口的概念，事情就會變得更加簡單了！

到底是如何操作的呢？

虛接口和對應(yīng)的通用方法可以把設(shè)計和驗證平臺分隔開來，保證其不受設(shè)計改動的影響。當(dāng)我們對一個設(shè)計的引腳名字進行改動的時候，我們無須改動驅(qū)動這個接口的方法，而是只需要在例化該事務(wù)交易處理器的時候，給虛接口綁定對應(yīng)連接的實體接口即可。對于CDN的SiliconEnsemble而言后端設(shè)計所需的數(shù)據(jù)主要有是Foundry廠提供的標(biāo)準(zhǔn)單元、宏單元和I/OPad的庫文件，它包括物理庫、時序庫及網(wǎng)表庫，分別以。以此來實現(xiàn)事務(wù)交易處理器的更大重用性。

虛接口的定義：

virtual interface_type variable;

虛接口可以定義為類的一個成員，可以通過構(gòu)造函數(shù)的參數(shù)或者過程進行初始化。

虛接口應(yīng)用的具體步驟：

到此，我們就可以在事務(wù)交易處理器中，編寫針對該接口的通用方法（如request和wait_for_bus），只要針對虛接口進行操作就可以，而該虛接口不針對特定的具體器件，只有在事務(wù)交易處理器的對象例化創(chuàng)建時，根據(jù)具體傳遞給他參數(shù)確定。

數(shù)字ic后端設(shè)計(一)

1. 數(shù)據(jù)準(zhǔn)備。

　　對于 CDN 的 Silicon Ensemble而言后端設(shè)計所需的數(shù)據(jù)主要有是Foundry廠提供的標(biāo)準(zhǔn)單元、宏單元和I/O Pad的庫文件，它包括物理庫、時序庫及網(wǎng)表庫，分別以.lef、.tlf和.v的形式給出。03與元器件關(guān)系緊密對于數(shù)字電路來說是沒有噪音和失真的，數(shù)字電路設(shè)計者完全不用考慮這些因素。前端的芯片設(shè)計經(jīng)過綜合后生成的門級網(wǎng)表，具有時序約束和時鐘定義的腳本文件和由此產(chǎn)生的.gcf約束文件以及定義電源Pad的DEF（DesignExchange Format）文件。(對synopsys 的Astro 而言，經(jīng)過綜合后生成的門級網(wǎng)表，時序約束文件 SDC是一樣的,Pad的定義文件--tdf ， .tf 文件 --technology file， Foundry廠提供的標(biāo)準(zhǔn)單元、宏單元和I/OPad的庫文件就與FRAM, CELL view, LM view 形式給出(Milkway 參考庫 and DB, LIB file)

　　2. 布局規(guī)劃。

　　主要是標(biāo)準(zhǔn)單元、I/O Pad和宏單元的布局。I/OPad預(yù)先給出了位置，而宏單元則根據(jù)時序要求進行擺放，標(biāo)準(zhǔn)單元則是給出了一定的區(qū)域由工具自動擺放。，m-1位，位是第0位，位是第m-1位），然后將相乘的結(jié)果按十進制數(shù)相加，就可以得到等值的十進制數(shù)。布局規(guī)劃后，芯片的大小，Core的面積，Row的形式、電源及地線的Ring和Strip都確定下來了。如果必要在自動放置標(biāo)準(zhǔn)單元和宏單元之后，你可以先做一次PNA(power network analysis）--IR drop and EM .

　　3. Placement -自動放置標(biāo)準(zhǔn)單元。

　　布局規(guī)劃后，宏單元、I/O Pad的位置和放置標(biāo)準(zhǔn)單元的區(qū)域都已確定，這些信息SE（SiliconEnsemble）會通過DEF文件傳遞給(PhysicalCompiler),PC根據(jù)由綜合給出的.DB文件獲得網(wǎng)表和時序約束信息進行自動放置標(biāo)準(zhǔn)單元，同時進行時序檢查和單元放置優(yōu)化。常見的失效模式包括塑料從芯片或引腳框上的內(nèi)部分離(脫層)、金線焊接損傷、芯片損傷、和不會延伸到元件表面的內(nèi)部裂紋等。如果你用的是PC Astro那你可用write_milkway, read_milkway 傳遞數(shù)據(jù)。

數(shù)字ic后端設(shè)計（三)

9. Dummy Metal的增加。

　　Foundry廠都有對金屬密度的規(guī)定，使其金屬密度不要低于一定的值，以防在芯片制造過程中的刻蝕階段對連線的金屬層過度刻蝕從而降低電路的性能。加入Dummy Metal是為了增加金屬的密度。

　　10. DRC和LVS。

　　DRC是對芯片版圖中的各層物理圖形進行設(shè)計規(guī)則檢查(spacing ,width)，它也包括天線效應(yīng)的檢查，以確保芯片正常流片。這是一個有趣的話題，電阻、電容、電感的相互作用，產(chǎn)生和干擾，也是數(shù)字電路要解決的重要問題。LVS主要是將版圖和電路網(wǎng)表進行比較，來保證流片出來的版圖電路和實際需要的電路一致。DRC和LVS的檢查--EDA工具 Synopsy hercules/ mentor calibre/ CDN Dracula進行的.Astro also include LVS/DRC check commands.

　　11. Tape out。

　　在所有檢查和驗證都正確無誤的情況下把后的版圖GDSⅡ文件傳遞給Foundry廠進行掩膜制造。

深圳瑞泰威科技有限公司是國內(nèi)IC電子元器件的代理銷售企業(yè)，***從事各類驅(qū)動IC、存儲IC、傳感器IC、觸摸IC銷售，品類齊全，具備上百個型號。

I老化原因？C

為什么老化跟時間有關(guān)？

為什么電路速度會隨時間原來越慢呢？因為斷鍵是隨機發(fā)生，需要時間積累。另外，前面提到的斷裂的Si-H鍵是可以自己***的，所以基于斷鍵的老化效應(yīng)都有***模式。對于NBTI效應(yīng)來說，加反向電壓就會進***模式；對于HCI效應(yīng)來說，停止使用就進入***模式。AstroalsoincludeLVS/DRCcheckcommands。但是這兩種方式都不可能長時間發(fā)生，所以總的來說，芯片是會逐漸老化的。

為什么老化跟溫度有關(guān)？

為什么電路速度跟溫度也有影響呢？溫度表示宏觀物體微觀粒子的平均動能。溫度越高，電子運動越劇烈，Si?HSi?H鍵斷鍵幾率就大。

為什么加壓會加速老化？

為什么加壓有影響呢？同樣的晶體管，供電電壓越高偏移電壓越高，偏移電壓越高氫原子游離越快，等于壓制了自發(fā)的***效應(yīng)，自然老化就快了。