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企業(yè)資質(zhì)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

普通會(huì)員4
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企業(yè)等級(jí):普通會(huì)員
經(jīng)營(yíng)模式:生產(chǎn)加工
所在地區(qū):廣東 廣州
聯(lián)系賣家:曾經(jīng)理
手機(jī)號(hào)碼:15018420573
公司官網(wǎng):www.micronanolab.com
企業(yè)地址:廣州市天河區(qū)長(zhǎng)興路363號(hào)
本企業(yè)已通過工商資料核驗(yàn)!
企業(yè)概況

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,其前身是2010年10月在成立的廣東半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院。2015年6月經(jīng)省政府批準(zhǔn),由原廣東省科學(xué)院、廣東省工業(yè)技術(shù)研究院(廣州有色金屬研究院)、廣東省測(cè)試分析研究所(中國(guó)廣州分析測(cè)試中心)、廣東省石油化工研究院等研究院所整合重組新廣......

***光刻技術(shù)價(jià)格-臺(tái)灣***光刻技術(shù)-半導(dǎo)體鍍膜(查看)

產(chǎn)品編號(hào):1000000000025013688                    更新時(shí)間:2023-05-24
價(jià)格: 來電議定
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

  • 主營(yíng)業(yè)務(wù):深硅刻蝕,真空鍍膜,磁控濺射,材料刻蝕,紫外光刻
  • 公司官網(wǎng):www.micronanolab.com
  • 公司地址:廣州市天河區(qū)長(zhǎng)興路363號(hào)

聯(lián)系人名片:

曾經(jīng)理 15018420573

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產(chǎn)品詳情





MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,***光刻技術(shù)價(jià)格,立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要,從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。


以硅基晶圓為例,半導(dǎo)體晶圓的主要制備步驟有[1]:硅提煉及提純:大多數(shù)晶圓是由從沙子中提取的硅制成的。將沙石原料放入電弧熔爐中,還原成冶金級(jí)硅,再與反應(yīng),生成,經(jīng)過蒸餾和化學(xué)還原工藝,得到高純度的多晶硅。單晶硅生長(zhǎng):將高純度的多晶硅放在石英坩堝中,并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱,使多晶硅熔化。然后把一顆籽晶浸入其中,并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn),臺(tái)灣***光刻技術(shù),同時(shí)慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。這樣就形成了圓柱狀的單晶硅晶棒。晶圓成型:將單晶硅棒經(jīng)過切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻等工序,制成一片片薄薄的半導(dǎo)體襯底,即晶圓。

半導(dǎo)體晶圓的尺寸在這一步驟中確定。晶圓的尺寸一般以“英寸”為單位。在半導(dǎo)體行業(yè)的早期,由于工藝能力的限制,硅棒直徑只有3英寸,約合7.62厘米。此后,隨著技術(shù)進(jìn)步和生產(chǎn)效率提高,晶圓尺寸不斷增大。目前,在半導(dǎo)體制造中使用的直徑為12英寸(又稱300毫米)。





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MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要,從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。


在半導(dǎo)體電路中,除了用于可控導(dǎo)電的各種二極管、三極管外,還必須要用絕緣物質(zhì)將不同的電路隔離開來。對(duì)于硅基元素來說,***光刻技術(shù)價(jià)錢,形成這種絕緣物質(zhì)的方法就是將硅進(jìn)行氧化,形成二氧化硅(SiO2)了。

SiO2是自然界中常見的一種材料,也是玻璃的主要元素。SiO2材料的主要特點(diǎn)有:具有高熔點(diǎn)和高沸點(diǎn)(分別為1713 o C和2950o C)不溶于水和部分酸,溶于具有良好的絕緣性、保護(hù)性和化學(xué)穩(wěn)定性

由于以上特性,SiO2在芯片制備的多個(gè)步驟工藝中被反復(fù)使用。芯片工藝中的氧化工藝是在半導(dǎo)體制造過程中,在硅晶圓表面形成一層薄薄的SiO2層的過程。這層氧化層有以下作用:作為絕緣層,阻止電路之間的漏電

作為保護(hù)層,防止后續(xù)的離子注入和刻蝕過程中對(duì)硅晶圓造成損傷

作為掩膜層,***光刻技術(shù)加工,定義電路圖案




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能光成像可以解決密形封裝中出現(xiàn)的間題。在嘯形封裝中,當(dāng)你把芯片放在上面時(shí),芯片波此之間并不。很住將付片地保持在人們想要的微米范圍內(nèi)。然而,激光比成像可以解決病出型封裝的肩移問題。同時(shí),“自適應(yīng)圖案化”技術(shù)則是解決芯片偏移的—種方法。

國(guó)外Suss MicroTec公司在開發(fā)激光燒燭的干法圖案化工藝。Suss的準(zhǔn)分子燒蝕步進(jìn)式***機(jī)結(jié)合了基于掩模板的圖案化燒蝕??梢詫?shí)現(xiàn)3pum的line/space,而2-2um也在進(jìn)展中。

準(zhǔn)分董優(yōu)疣光的的是利所防率崇外(UVY)準(zhǔn)分子就光擁的將勝直接去除材梓。典型的波長(zhǎng)是3U6m 246om和]1931m。準(zhǔn)分子說怏瞬間將相容的目標(biāo)材料(和聚臺(tái)物、有初機(jī)電介質(zhì))從固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)和副產(chǎn)物(即亞微米干碳顆粒),從而產(chǎn)生很少甚至沒有熱影響區(qū)以及更少的碎片。




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