相移光柵基本參量有光柵周期Λ，有效折射率neff，折射率調制深度Δn。在DFB光纖激光器中，只用一個相移光柵來選頻和反饋，實現諧振腔的功能，那么，相應影響光柵的一些參數將會直接影響諧振腔的性能，進而影響激光器的設計。影響因素有相移量、折射率調制深度，相移位置及相移光柵長度，下面運用傳輸矩陣法結合DFB光纖激光器進行仿l真分析。

　　選頻波長一定時，耦合系數k由Δn決定， k=πΔn/λB，在DFB摻鉺光纖激光器中，對于一定長度的光柵，損耗會直接影響耦合系數k的選取， k值一般取值范圍為90m- 1～200m- 1。k值太小，在DFB激光器中不能起振， k值太大，由于損耗影響會造成輸出功率急劇下降甚至幾乎沒有輸出。本文選取光柵長度為5cm，光柵布拉格波長λB=1550nm，折射率調制深度為Δn =5×10- 5，有效折射率為neff=1. 45，光柵為單相移，相移量φ=π。光柵周期可由λB=2neffΛ計算得出Λ=534nm。

近年來，隨著5G的規(guī)模部署帶動流量快速增長，推動帶寬快速提升。同時，新冠疫情的暴發(fā)促進數據中心、光纖到戶的需求大漲，為光通信產業(yè)帶來可觀的需求，DFB，光模塊、波分器件、分路器、連接器的市場需求都持續(xù)增長，固網、接入網也迎來了新的建設周期。

光模塊是光通信設備的重要組成部分，而光通信器件是光模塊的主要構成部件，其性能主導著光通信網絡的升級換代，而激光器則是光模塊內部的電光轉換器件。

半導體激光器具有體積小、重量輕、電光轉換、性能穩(wěn)定、l可靠性高和壽命長等優(yōu)點，隨著半導體激光器技術的快速發(fā)展和突破，半導體激光器產品質量、波長范圍和輸出功率正在迅速提高，產品種類日益豐富，應用范圍覆蓋了整個光電子學領域，已成為當今光電子科學的技術，屬于光電行業(yè)中具發(fā)展前途的領域之一。半導體激光器可分為垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、法布里-珀羅激光器（FP）、分布式反饋激光器（DFB）、電吸收調制激光器（EML）等。不同類型的激光器在性能和成本等方面存在差異，光模塊可根據具體規(guī)格要求選擇不同的芯片方案。

在半導體激光器家族中，DFB激光器因其優(yōu)異的光譜特性與調制特性，已經成為通信系統(tǒng)中為重要、使用為廣泛的光源之一。DFB激光器的概念和理論早由美國貝爾實驗室的H.Kogelnik和C.V.Shank于1971—1972年間提出，早的半導體DFB激光器出現在1973年。經過近50年的發(fā)展，DFB激光器已被廣泛應用于光通信、傳感、測繪等領域。

DFB激光器更長的中心波長，從750nm到3500nm，并逐漸往4000nm甚至更高的中心波長發(fā)展；更高的功率，由于目前DFB激光器功率普遍較低，高功率能夠實現長距離、多路等更廣泛的應用。

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