真空鍍膜公司MEMS真空鍍膜加工平臺——廣東省科學院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

1.1磁控濺射種類

磁控濺射包括很多種類。各有不同工作原理和應(yīng)用對象。但有一共同點:利用磁場與電場交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運行，從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。所產(chǎn)生的離子在電場作用下撞向靶面從而濺射出靶材。

1.1.1技術(shù)分類

磁控濺射在技術(shù)_上可以分為直流(DC)磁控濺射、中頻(MF)磁控濺射、射頻(RF)磁控濺射。

2磁控濺射工藝研究

2.1濺射變量

2.1.1電壓和功率

在氣體可以電離的壓強范圍內(nèi)如果改變施加的電壓，電路中等離子體的阻抗會隨之改變，引起氣體中的電流發(fā)生變化。改變氣體中的電流可以產(chǎn)生更多或更少的離子，這些離子碰撞靶體就可以控制濺射速率。

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真空設(shè)備安裝調(diào)試過程中的檢漏步驟如下：

1、了解待檢設(shè)備的結(jié)構(gòu)組成和裝配過程。掌握設(shè)備的要求，查明需要進行檢漏的***部位。

2、根據(jù)所規(guī)定的大允許漏率以及是否需要找漏孔的具體位置等要求，并從經(jīng)濟、快速、可靠等原則出發(fā)，正確選擇好檢漏方法或儀器，準備好檢漏時所需的輔助設(shè)備后擬定切實可行的檢漏程序。

3、應(yīng)對被檢件進行好清潔工作，取出焊渣、油垢后再按真空衛(wèi)生條件進行清潔處理，浙江真空鍍膜公司，并予以烘干。對要求高的小型器件。清潔處理后可通過真空烘干箱進行烘烤，硅真空鍍膜公司，進行清潔處理后不但可以避免漏孔不被污物、油、有機溶液等堵塞，而且也保護了檢漏儀器。

4、對所選用的檢漏方法和檢漏設(shè)備進行檢漏靈敏度的校準，氧化鉿真空鍍膜公司，并確定檢漏系統(tǒng)的檢漏時間。

5、若采用真空檢漏法時，為了提高儀器的靈敏度，應(yīng)盡可能將被檢件抽到較高真空。

6、在允許的前提下，應(yīng)盡可能優(yōu)先應(yīng)用較為經(jīng)濟和現(xiàn)場具備條件的檢漏方法。

7、采用氦質(zhì)譜檢漏設(shè)備檢漏時，對于要求檢漏不高的或有大漏產(chǎn)生的被檢件時，在檢漏初期應(yīng)盡量用濃度較低的氦氣進行檢漏，然后再進行小漏孔的檢漏，以節(jié)約氦氣。

8、對已檢出的大漏孔及時進行修補堵塞后再進行小漏孔的檢漏。

9、對檢出并修補的漏孔進行一次復(fù)查以確保檢漏結(jié)果達到要求。

      真空鍍膜機撿漏環(huán)節(jié)，是從設(shè)計、制造、調(diào)試、使用等，各個環(huán)節(jié)都需要進行的步驟，確一不可。

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上面關(guān)于磁控濺射鍍膜機的設(shè)備尺寸以及應(yīng)用場景已經(jīng)介紹完成了，那么這種設(shè)備在鍍膜的時候應(yīng)該是如何操作的呢？具體操作方法如下：

（1）在操作的時候，樣品基片的壓力值保持處于：負偏壓 -200V。

（2）樣品轉(zhuǎn)盤：在基片轉(zhuǎn)盤上有滾筒式樣品架，其中兩個工位開孔安裝加熱爐。

樣品除了公轉(zhuǎn)外，在鍍膜位置實現(xiàn)雙平方向X軸移動。基片的溫度從室溫至300℃（樣品上表面的溫度，只需標定一次即可）連續(xù)可調(diào)可控，但兩個加熱器需保持不同時工作，每次只有一個工作（一臺加熱控溫電源），在真空下可輪流互換工作。樣品轉(zhuǎn)盤由步進電機驅(qū)動，計算機控制其公轉(zhuǎn)到位及樣品自轉(zhuǎn)；

（3）氣路系統(tǒng)：質(zhì)量流量控制器2路

（4）石英晶振膜厚控制儀的測量范圍：0-999999，抽干空氣可選分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)

（5）計算機控制系統(tǒng)的功能：對位移和樣品公轉(zhuǎn)速度隨時間的變化做實時采集，對位移誤差進行計算，以曲線和數(shù)值顯示。樣品公轉(zhuǎn)速度對位移曲線可在線性和對數(shù)標度兩種顯示之間切換，可實現(xiàn)換位鍍膜。

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