真空鍍膜加工廠MEMS真空鍍膜加工平臺——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應用技術研究，兼顧重大技術應用的基礎研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業(yè)應用技術開發(fā)。

真空鍍膜是一種將待鍍材料和被鍍基材放置于真空室內(nèi)，采用一定方法加熱待鍍材料，使之蒸發(fā)或升華并飛濺到被鍍基材表面凝聚成膜的表面處理工藝，如圖所示。

真空鍍膜工藝可使塑料表面具有金屬質(zhì)感，并賦予一定的導電性能，其基材選擇廣泛，過程環(huán)保***，顏色相較電鍍更加豐富。此工藝可分為三種類型：蒸發(fā)鍍膜、濺射鍍膜和離子鍍。

真空鍍膜原理圖

在內(nèi)外飾系統(tǒng)中，榮威標牌嵌件是采用真空鍍膜的典型零件。通過標牌嵌件背面鍍的銀色鋁膜與淡***PMMA基材共同形成了的金色獅子華表圖案。榮威標牌嵌件采用的是真空鍍膜工藝中的濺射鍍膜。真空鍍膜典型零件及鍍膜機實物圖如圖所示。

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CVD鍍膜設備種類繁多，當前PECVD為主流技術，未來市占率有望進一步提升。CVD是指利用氣態(tài)或蒸汽態(tài)的物質(zhì)在氣相或氣固界面上發(fā)生反應生成固態(tài)沉積物的過程，是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術?；瘜W氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程控制。CVD鍍膜重復性和臺階覆蓋性較好，可用于SiO2、Si3N4、PSG、BPSG、TEOS等介質(zhì)薄膜，以及半導體、金屬（W）、各類金屬有機化合物薄膜沉積。CVD種類繁多，根據(jù)腔室壓力、外部能量等不同，可大致分為 APCVD、LPCVD、SACVD、 PECVD、MOCVD等類別。CVD設備反應源容易獲得、鍍膜成分多樣、設備相對簡單、特別適用于在形狀復雜的零件表面和內(nèi)孔鍍膜。

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真空鍍膜加工廠MEMS真空鍍膜加工平臺——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應用技術研究，兼顧重大技術應用的基礎研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，氮化鈦真空鍍膜加工廠，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業(yè)應用技術開發(fā)。

在濺射的時候，氣體經(jīng)過電離之后，在較低的電壓和氣壓之下產(chǎn)生的離子數(shù)目比較少，而且靶材濺射效率低下。如果想產(chǎn)生較多的離子，就要保持在高電壓和氣壓之下，IGZO真空鍍膜加工廠，不過這樣也有弊端，重慶真空鍍膜加工廠，就是會導致基片發(fā)熱，甚至發(fā)生第二次噴濺，后影響到制膜的質(zhì)量。除此之外，靶材原子與氣體分子的碰撞幾率也會變大，特別是在靶材原子飛向基片的過程中，氮化硅真空鍍膜加工廠，如果發(fā)生這樣的情況，造成靶材的浪費的同時還會制造出污染。針對這樣的問題，才開發(fā)出來直流磁控濺射技術，這項技術早在上世紀七十年代就已經(jīng)出現(xiàn)。能夠有效***電話上述問題，獲得了迅速發(fā)展和廣泛應用。

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