MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，MEMS光刻技術(shù)工廠，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

有了摻雜工藝，就可以制造出PN結(jié)、雙極型晶體管、場效應(yīng)晶體管等基本的半導體元器件，也可以用來調(diào)節(jié)MOS晶體管的閾值電壓、改善接觸電阻、增強輻射耐受性等。摻雜工藝是半導體工藝中和基礎(chǔ)的技術(shù)之一，對于半導體器件的設(shè)計和制造具有決定性的影響。

半導體工藝中實現(xiàn)摻雜的主要方法有兩種，即熱擴散和離子注入。熱擴散是在高溫下（約1000℃）將半導體暴露在一定摻雜元素的氣態(tài)下，利用化學反應(yīng)和熱運動使雜質(zhì)原子擴散到半導體表層的過程

離子注入是將雜質(zhì)原子電離成離子，用高能量的電場加速，然后直接轟擊半導體表面，使雜質(zhì)原子“擠”進到晶體內(nèi)部的過程

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這些氧化層在半導體器件中也有舉足輕重的作用。比如說CMOS器件中的重要結(jié)構(gòu)：MOS（金屬-氧化物-半導體）結(jié)構(gòu)中用于金屬和半導體之間絕緣的“氧化物”層（或稱柵氧），就是采用氧化工藝制備的。另外，河北光刻技術(shù)工廠，用于隔離不同CMOS器件的厚層氧化物場氧（Field Oxide）、SOI器件中用于隔離襯底與器件的絕緣隔離層，都是采用氧化工藝實現(xiàn)的SiO2材料。

氧化工藝的實現(xiàn)方法有多種，如熱氧化、電化學陽極氧化等。其中常用的是熱氧化法，即在高溫（800～1200℃）下，玻璃光刻技術(shù)工廠，利用純氧或水蒸汽與硅反應(yīng)生成SiO2層。熱氧化法又分為干法和濕法：干法只使用純氧，形成較薄、質(zhì)量較好的氧化層，但生長速度較慢。濕法使用純氧和水蒸汽，形成較厚、密度較低的氧化層，器件光刻技術(shù)工廠，但生長速度較快。不同類型和厚度的SiO2可以滿足不同功能和要求。

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干法刻蝕干法刻蝕是用等離子體或者離子束等來對晶圓片進行轟擊將未被保護的半導體結(jié)構(gòu)進行去除的方法。相比于濕法刻蝕，干法刻蝕精度高、選擇性和方向性好，并且不會產(chǎn)生殘留物，適用于制造高集成度的芯片。

然后干法刻蝕也有缺點，例如成本高，設(shè)備復(fù)雜，處理時間長。

在半導體工藝步驟中，會根據(jù)不同的目標和需求，靈活選擇適合的工藝。甚至在同一個器件制作的不同步驟中，會混合使用濕法刻蝕和干法刻蝕。

通過光刻及刻蝕步驟，就可以將希望的圖形，在晶圓片上真正實現(xiàn)。需要說明的是，光刻/蝕刻步驟一次只能實現(xiàn)一層半導體結(jié)構(gòu)，由于半導體器件是多層器件， 通過需要迭代多次才能將半導體器件完整蝕刻出來。并且隨著工藝復(fù)雜度的不同，需要的層數(shù)也不同。例如在0.18微米的CMOS工藝中，需要的光罩層數(shù)約為20層，而對于7nm左右的CMOS工藝來說，則需要55-60層

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