真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室MEMS真空鍍膜加工平臺(tái)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，氧化硅真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開(kāi)發(fā)。

真空鍍膜機(jī)濺射濺射工藝介紹

真空鍍膜機(jī)濺射濺射工藝主要用于濺射刻蝕和薄膜沉積兩個(gè)方面。濺射刻蝕時(shí)，被刻蝕的材料置于靶極位置，受離子的轟擊進(jìn)行刻蝕?？涛g速率與靶極材料的濺射產(chǎn)額、離子流密度和濺射室的真空度等因素有關(guān)。濺射刻蝕時(shí)，應(yīng)盡可能從濺射室中除去濺出的靶極原子。常用的方法是引入反應(yīng)氣體，使之與濺出的靶極原子反應(yīng)生成揮發(fā)性氣體，通過(guò)真空系統(tǒng)從濺射室中排出。沉積薄膜時(shí)，濺射源置于靶極，受離子轟擊后發(fā)生濺射。如果靶材是單質(zhì)的，則在襯底上生成靶極物質(zhì)的單質(zhì)薄膜；若在濺射室內(nèi)有意識(shí)地引入反應(yīng)氣體，使之與濺出的靶材原子發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而淀積于襯底，便可形成靶極材料的化合物薄膜。

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真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室MEMS真空鍍膜加工平臺(tái)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，山西真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開(kāi)發(fā)。

工件轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)的問(wèn)題：

（1）轉(zhuǎn)速不對(duì)或者根本不轉(zhuǎn)，一般這種情況下有三種可能：

一是工作轉(zhuǎn)盤不轉(zhuǎn)動(dòng)：可能原因有，氮化硅真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室，機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)壞了、電機(jī)損壞、電壓不正常。這種情況下我們可以調(diào)動(dòng)系統(tǒng)使其靈活、檢查電機(jī)繞組是否短路燒壞了、檢查電機(jī)調(diào)速器的輸出情況。

二是轉(zhuǎn)速不可調(diào)節(jié)：可能原因有，調(diào)速器給定電壓不正常以及調(diào)速器工作不正常。這種情況下我們可以檢查調(diào)速器給定電壓情況、檢查給定電位器及其外部連接是否完好、檢查調(diào)速器或更換。

三是轉(zhuǎn)速不穩(wěn)定：可能原因有，機(jī)械轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)不平衡、電氣接觸不良、調(diào)速器參數(shù)發(fā)生變化。這種情況下我們可以檢查并轉(zhuǎn)動(dòng)系統(tǒng)、檢查給定電機(jī)及電速器連接是否完好、檢查調(diào)速器或更換。

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真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室MEMS真空鍍膜加工平臺(tái)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，氧化鉿真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開(kāi)發(fā)。

先來(lái)介紹一下，什么是磁控濺射鍍膜機(jī)？百度百科上，關(guān)于磁控濺射鍍膜機(jī)是這樣解釋的：磁控濺射鍍膜機(jī)是一種用于材料科學(xué)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器，是一種普適鍍膜機(jī)，目前主要用于實(shí)驗(yàn)室制備有機(jī)光電器件的金屬電極及介電層，以及制備用于生長(zhǎng)納米材料的催化劑薄膜層。

這還要從這種機(jī)器的系統(tǒng)組成說(shuō)起，磁控濺射鍍膜機(jī)內(nèi)部系統(tǒng)主要是由：真空室系統(tǒng)濺射室、靶及電源系統(tǒng)、樣品臺(tái)系統(tǒng)、真空抽氣及測(cè)量系統(tǒng)、氣路系統(tǒng)、控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)及輔助系統(tǒng)等組成。

除此之外，標(biāo)準(zhǔn)的磁控濺射鍍膜機(jī)，它的技術(shù)指標(biāo)也是有一個(gè)固定值的，就像是磁控濺射鍍膜機(jī)的真空部分，包括真空室系統(tǒng)濺射室、真空抽氣及測(cè)量系統(tǒng)，對(duì)于這兩部分來(lái)說(shuō)，它們的極限真空度應(yīng)該為：6.7×10-5Pa，系統(tǒng)漏率：1×10-7PaL/S。***真空的時(shí)間應(yīng)該在：40分鐘可達(dá)6.6×10 Pa（短時(shí)間暴露大氣并充干燥氮?dú)夂箝_(kāi)始抽氣）。

不僅如此，除了技術(shù)指標(biāo)之外，這些設(shè)備的尺寸指標(biāo)也是有合格標(biāo)準(zhǔn)的。真空室的標(biāo)準(zhǔn)大小應(yīng)該處于：圓形真空室，尺寸550× 450mm。樣品臺(tái)的標(biāo)準(zhǔn)尺寸應(yīng)該是：尺寸為直徑350mmX280mm，滾筒結(jié)構(gòu)。包括磁控靶：有效濺射區(qū)為3英寸×3英寸，數(shù)量：4支，標(biāo)準(zhǔn)型永磁靶，1支，標(biāo)準(zhǔn)型強(qiáng)磁靶，釬焊間接水冷結(jié)構(gòu)；靶直徑Φ60㎜，靶內(nèi)水冷。靶基距為50～90mm連續(xù)可調(diào)（手動(dòng)），并有調(diào)位距離指示。

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氧化硅真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室-半導(dǎo)體研究所-山西真空鍍膜實(shí)驗(yàn)室由廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所提供。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家從事“深硅刻蝕,真空鍍膜,磁控濺射,材料刻蝕,紫外光刻”的公司。自成立以來(lái)，我們堅(jiān)持以“誠(chéng)信為本，穩(wěn)健經(jīng)營(yíng)”的方針，勇于參與市場(chǎng)的良性競(jìng)爭(zhēng)，使“半導(dǎo)體”品牌擁有良好口碑。我們堅(jiān)持“服務(wù)至上，用戶至上”的原則，使半導(dǎo)體研究所在電子、電工產(chǎn)品加工中贏得了客戶的信任，樹立了良好的企業(yè)形象。 特別說(shuō)明：本信息的圖片和資料僅供參考，歡迎聯(lián)系我們索取準(zhǔn)確的資料，謝謝！