真空鍍膜工藝MEMS真空鍍膜加工平臺——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導體產業(yè)發(fā)展的應用技術研究，兼顧重大技術應用的基礎研究，電子束蒸發(fā)真空鍍膜工藝，立足于廣東省經濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業(yè)應用技術開發(fā)。

由工作氣壓與沉積率的關系表可以看出:在其他參數不變的條件下，陜西真空鍍膜工藝，隨著工氣壓的增大，沉積速增大后減小。在某一個佳工作氣壓下，有一個對應的大沉積速率。

3.5.1試驗結果分析

氣體分子平均自由程與壓強有如下關系

其中為氣體分子平均自由程，k為玻耳茲曼常數，T為氣體溫度，d為氣體分子直徑，p為氣體壓強。由此可知，在保持氣體分子直徑和氣體溫度不變的條件下，如果工作壓強增大，則氣體分子平均自由程將減小，濺射原子與氣體分子相互碰撞次數將增加，二次電子發(fā)射將增強。

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真空鍍膜機設計應該注意什么，能減少撿漏工作

 為了保證真空鍍膜機具有良好的密封性能，必須要在切斷可能存在漏孔的原因，因此僅僅在設備安裝完畢后去尋求漏孔的位置，堵塞漏孔的通道是遠遠不夠的。必須要在設置真空鍍膜機設計就要進行真空檢漏工作。下面真空小編為大家在設計環(huán)節(jié)就開始需要進行撿漏的一些真空鍍膜注意事項：

1、根據設備的工藝要求，確定真空鍍膜機的總的允許漏率，功率器件真空鍍膜工藝，并依據這一總漏率確定各組成部件的允許漏率。

2、根據設備的允許漏率等指標，在設計階段就初步確定將要采用的檢漏方法，電極真空鍍膜工藝，并將其作為指導調試 驗收的基本原則之一。

3、根據設備或部件的允許漏率指標，決定設備的密封、連接方式和總體加工精度，以及何種動密封形式能夠滿足要求。如，法蘭采用金屬密封或橡膠密封。

4、容器結構強度設計時，考慮如果采用加壓法檢漏被檢件所應具有的耐壓能力和結構強度。

5、選擇零部件結構材料時，考慮是否使用了可能被工作介質和示漏氣體腐蝕而導致損壞的材料。

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在對純度為99.9%的銅濺射靶材的研究中，發(fā)現在制備Cu靶材時不可避免地會引入硫和鉛。微量S的加入可以防止熱加工時晶粒尺寸變大和微裂紋產生使表面粗糙。但是，當S的含量高于18ppm時，會再次出現微裂紋。隨著S和Pb含量的增加，裂紋數量和電弧放電次數增加。因此，應盡量減少靶材中的雜質含量。減少濺射薄膜的污染源，提高薄膜的均勻性。

濺射靶材制備工藝條件的控制

對于熱導率較差的靶材，例如***濺射靶材，往往會因為靶材中的雜質而阻礙熱傳遞。生產中使用的冷卻水溫度與鍍膜線實際水溫存在差異，導致使用過程中靶材開裂。一般來說，輕微的裂紋不會對鍍膜生產產生很大的影響。但當靶材有明顯裂紋時，電荷很容易集中在裂紋邊緣，導致靶材表面異常放電。放電會導致落渣、成膜異常、產品報廢增加。因此，在靶材制備和控制純度的過程中，還要控制制備工藝條件。

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