




氮化***材料刻蝕加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的實(shí)際需要,從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。
在等離子蝕刻工藝中,發(fā)生著許多的物理現(xiàn)象。當(dāng)在腔體中使用電極(DC或RF激發(fā))或微波產(chǎn)生一個強(qiáng)電場,這個電場會加速所有的自由電子并提高他們的內(nèi)部能量(由于宇宙射線的原因,氧化硅材料刻蝕工藝,在任何環(huán)境中都會存在一些自由電子)。自由電子與氣體中的原子/分子發(fā)生撞擊,如果在碰撞過程中,電子傳遞了足夠的能量給原子/分子,就會發(fā)生電離現(xiàn)象,并且產(chǎn)生正離子和其他自由電子若碰撞傳遞的能量不足以激發(fā)電離現(xiàn)象則無法產(chǎn)生穩(wěn)定且能發(fā)生反應(yīng)的中性物當(dāng)足夠的能量提供給系統(tǒng),一個穩(wěn)定的,氣相等離子體包含自由電子,正離子和反應(yīng)中性物等離子蝕刻工藝中等離子體中的原子、分子離子、反應(yīng)中性物通過物理和化學(xué)方式移除襯底表面的材料。純物理蝕刻采用強(qiáng)電場來加速正原子離子(通常使用重量較重,惰性的原子)朝向襯底,加速過程將能量傳遞給了離子,當(dāng)它們撞擊到襯底表面時,內(nèi)部的能量傳遞給襯底表面的原子,如果足夠的能量被傳遞,襯底表面的原子會被噴射到氣體中,較終被真空系統(tǒng)抽走。
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一般而言,高蝕速率(在一定時間內(nèi)去除的材料量)都會受到歡迎。
二氧化硅濕法刻蝕:較普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅?;镜目涛g劑是,它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優(yōu)點(diǎn)。然而,飽和濃度的在室溫下的刻蝕速率約為300A/s。這個速率對于一個要求控制的工藝來說太快了。在實(shí)際中,與水或及水混合。以來緩沖加速刻蝕速率的氫離子的產(chǎn)生。這種刻蝕溶液稱為緩沖氧化物刻蝕或BOE。針對特定的氧化層厚度,氧化硅材料刻蝕加工,他們以不同的濃度混合來達(dá)到合理的刻蝕時間。一些BOE公式包括一個濕化劑用以減小刻蝕表面的張力,以使其均勻地進(jìn)入更小的開孔區(qū)。
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介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。
氮化硅濕法刻蝕:對于鈍化層,另外一種受青睞的化合物是氮化硅??梢杂靡后w化學(xué)的方法來刻蝕,吉林氧化硅材料刻蝕,但是不想其他層那樣容易。使用的***是熱磷酸。因酸液在此溫度下會迅速蒸發(fā),所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此,需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導(dǎo)致對于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。
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