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企業(yè)資質(zhì)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

普通會員4
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企業(yè)等級:普通會員
經(jīng)營模式:生產(chǎn)加工
所在地區(qū):廣東 廣州
聯(lián)系賣家:曾經(jīng)理
手機(jī)號碼:15018420573
公司官網(wǎng):www.micronanolab.com
企業(yè)地址:廣州市天河區(qū)長興路363號
本企業(yè)已通過工商資料核驗(yàn)!
企業(yè)概況

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,其前身是2010年10月在成立的廣東半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院。2015年6月經(jīng)省政府批準(zhǔn),由原廣東省科學(xué)院、廣東省工業(yè)技術(shù)研究院(廣州有色金屬研究院)、廣東省測試分析研究所(中國廣州分析測試中心)、廣東省石油化工研究院等研究院所整合重組新廣......

吉林氧化硅材料刻蝕-半導(dǎo)體測試-氧化硅材料刻蝕工藝

產(chǎn)品編號:1000000000024761230                    更新時間:2023-05-14
價格: 來電議定
廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

  • 主營業(yè)務(wù):深硅刻蝕,真空鍍膜,磁控濺射,材料刻蝕,紫外光刻
  • 公司官網(wǎng):www.micronanolab.com
  • 公司地址:廣州市天河區(qū)長興路363號

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氮化***材料刻蝕加工廠——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的實(shí)際需要,從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。

在等離子蝕刻工藝中,發(fā)生著許多的物理現(xiàn)象。當(dāng)在腔體中使用電極(DC或RF激發(fā))或微波產(chǎn)生一個強(qiáng)電場,這個電場會加速所有的自由電子并提高他們的內(nèi)部能量(由于宇宙射線的原因,氧化硅材料刻蝕工藝,在任何環(huán)境中都會存在一些自由電子)。自由電子與氣體中的原子/分子發(fā)生撞擊,如果在碰撞過程中,電子傳遞了足夠的能量給原子/分子,就會發(fā)生電離現(xiàn)象,并且產(chǎn)生正離子和其他自由電子若碰撞傳遞的能量不足以激發(fā)電離現(xiàn)象則無法產(chǎn)生穩(wěn)定且能發(fā)生反應(yīng)的中性物當(dāng)足夠的能量提供給系統(tǒng),一個穩(wěn)定的,氣相等離子體包含自由電子,正離子和反應(yīng)中性物等離子蝕刻工藝中等離子體中的原子、分子離子、反應(yīng)中性物通過物理和化學(xué)方式移除襯底表面的材料。純物理蝕刻采用強(qiáng)電場來加速正原子離子(通常使用重量較重,惰性的原子)朝向襯底,加速過程將能量傳遞給了離子,當(dāng)它們撞擊到襯底表面時,內(nèi)部的能量傳遞給襯底表面的原子,如果足夠的能量被傳遞,襯底表面的原子會被噴射到氣體中,較終被真空系統(tǒng)抽走。

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一般而言,高蝕速率(在一定時間內(nèi)去除的材料量)都會受到歡迎。

二氧化硅濕法刻蝕:較普通的刻蝕層是熱氧化形成的二氧化硅?;镜目涛g劑是,它有刻蝕二氧化硅而不傷及硅的優(yōu)點(diǎn)。然而,飽和濃度的在室溫下的刻蝕速率約為300A/s。這個速率對于一個要求控制的工藝來說太快了。在實(shí)際中,與水或及水混合。以來緩沖加速刻蝕速率的氫離子的產(chǎn)生。這種刻蝕溶液稱為緩沖氧化物刻蝕或BOE。針對特定的氧化層厚度,氧化硅材料刻蝕加工,他們以不同的濃度混合來達(dá)到合理的刻蝕時間。一些BOE公式包括一個濕化劑用以減小刻蝕表面的張力,以使其均勻地進(jìn)入更小的開孔區(qū)。

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介電刻蝕應(yīng)用中通常使用含氟的化學(xué)物質(zhì)。

氮化硅濕法刻蝕:對于鈍化層,另外一種受青睞的化合物是氮化硅??梢杂靡后w化學(xué)的方法來刻蝕,吉林氧化硅材料刻蝕,但是不想其他層那樣容易。使用的***是熱磷酸。因酸液在此溫度下會迅速蒸發(fā),所以刻蝕要在一個裝有冷卻蓋的密封回流容器中進(jìn)行。主要問題是光刻膠層經(jīng)不起刻蝕劑的溫度和高刻蝕速率。因此,需要一層二氧化硅或其他材料來阻擋刻蝕劑。這兩個因素已導(dǎo)致對于氮化硅使用干法刻蝕技術(shù)。


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吉林氧化硅材料刻蝕-半導(dǎo)體測試-氧化硅材料刻蝕工藝由廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所提供。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所實(shí)力不俗,信譽(yù)可靠,在廣東 廣州 的電子、電工產(chǎn)品加工等行業(yè)積累了大批忠誠的客戶。半導(dǎo)體研究所帶著精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念和您攜手步入輝煌,共創(chuàng)美好未來!

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