![](https://img3.dns4.cn/heropic/343454/p1/20220920175611_6958_zs.jpg)
![](https://img3.dns4.cn/heropic/343454/p1/20220920175615_2583_zs.jpg)
![](https://img3.dns4.cn/heropic/343454/p1/20220920175618_5239_zs.jpg)
![](https://img3.dns4.cn/heropic/343454/p1/20220920175621_8833_zs.jpg)
![](https://img3.dns4.cn/heropic/343454/p1/20220920175624_9770_zs.jpg)
MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要,天津半導(dǎo)體光刻加工,從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
經(jīng)過(guò)了光刻步驟之后,所需要的圖案已經(jīng)被印在了晶圓表面的光刻膠上。但要實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體器件的制作,還需要把半導(dǎo)體器件按照光刻膠的圖形出來(lái)。這個(gè)的過(guò)程就叫刻蝕(Etching)。
半導(dǎo)體刻蝕方法分為兩類,分別是濕法刻蝕和干法刻蝕。
濕法刻蝕濕法刻蝕是將晶圓片浸入到含有特定化學(xué)劑的液體溶液中,利用化學(xué)反應(yīng)來(lái)溶解掉未被光刻膠保護(hù)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。由于液體***不能很好的控制方向性,所以可能會(huì)導(dǎo)致刻蝕不均勻,造成刻蝕的不足或過(guò)度;另外,由于液體***會(huì)殘留在晶圓上,所以需要額外的清洗步驟來(lái)去除污染物。
![](https://img3.dns4.cn/pic1/343454/p3/20220829151903_9337_zs.jpg)
歡迎來(lái)電咨詢半導(dǎo)體研究所了解更多半導(dǎo)體光刻加工
MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要,從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
干法刻蝕干法刻蝕是用等離子體或者離子束等來(lái)對(duì)晶圓片進(jìn)行轟擊將未被保護(hù)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)進(jìn)行去除的方法。相比于濕法刻蝕,半導(dǎo)體光刻加工多少錢,干法刻蝕精度高、選擇性和方向性好,并且不會(huì)產(chǎn)生殘留物,適用于制造高集成度的芯片。
然后干法刻蝕也有缺點(diǎn),例如成本高,設(shè)備復(fù)雜,處理時(shí)間長(zhǎng)。
在半導(dǎo)體工藝步驟中,半導(dǎo)體光刻加工外協(xié),會(huì)根據(jù)不同的目標(biāo)和需求,靈活選擇適合的工藝。甚至在同一個(gè)器件制作的不同步驟中,會(huì)混合使用濕法刻蝕和干法刻蝕。
通過(guò)光刻及刻蝕步驟,就可以將希望的圖形,在晶圓片上真正實(shí)現(xiàn)。需要說(shuō)明的是,光刻/蝕刻步驟一次只能實(shí)現(xiàn)一層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),由于半導(dǎo)體器件是多層器件, 通過(guò)需要迭代多次才能將半導(dǎo)體器件完整蝕刻出來(lái)。并且隨著工藝復(fù)雜度的不同,需要的層數(shù)也不同。例如在0.18微米的CMOS工藝中,需要的光罩層數(shù)約為20層,而對(duì)于7nm左右的CMOS工藝來(lái)說(shuō),則需要55-60層
![](https://img3.dns4.cn/pic1/343454/p3/20220829151901_7306_zs.jpg)
歡迎來(lái)電咨詢半導(dǎo)體研究所了解更多半導(dǎo)體光刻加工
MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一,主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究,兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究,立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要,從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究,以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,對(duì)各薄膜層精度的要求也越來(lái)越高,半導(dǎo)體光刻加工工廠,于是,需要對(duì)晶圓表面進(jìn)行平坦化,消除不同材料層之間的起伏和缺陷,提高光刻的精度和質(zhì)量。
拋光(Polishing)就是用于晶圓表面薄膜層平整化的技術(shù)。拋光工藝中,主要的工藝是CMP(化學(xué)機(jī)械拋光,Chemical Mechanical Polishing),CMP是一種利用化學(xué)腐蝕和機(jī)械摩擦的結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)晶圓表面平坦化的技術(shù),研磨對(duì)象主要是淺溝槽隔離(STI),層間膜和銅互連層等。
以上就是芯片制造中的主要工藝,以上工藝以硅基半導(dǎo)體為主要參考,其他工藝(如GaAs、SiGe等化合物半導(dǎo)體)會(huì)略有不同,但基本思路一致。
在具體半導(dǎo)體工藝實(shí)現(xiàn)上,通過(guò)將以上關(guān)鍵工藝的有機(jī)整合,形成一個(gè)完整的工藝流程,就可以完成半導(dǎo)體工藝的開發(fā)。
總 結(jié) 芯片的制造工藝是一個(gè)復(fù)雜的過(guò)程,關(guān)鍵工藝也并不只有光刻,還包括晶圓加工、氧化、刻蝕、摻雜、薄膜沉積等多個(gè)步驟,每個(gè)步驟都對(duì)半導(dǎo)體性能和功能有重要影響。
![](https://img3.dns4.cn/pic1/343454/p3/20220829151901_7306_zs.jpg)
歡迎來(lái)電咨詢半導(dǎo)體研究所了解更多半導(dǎo)體光刻加工
半導(dǎo)體光刻加工工廠-半導(dǎo)體研究所-天津半導(dǎo)體光刻加工由廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所提供。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在電子、電工產(chǎn)品加工這一領(lǐng)域傾注了諸多的熱忱和熱情,半導(dǎo)體研究所一直以客戶為中心、為客戶創(chuàng)造價(jià)值的理念、以品質(zhì)、服務(wù)來(lái)贏得市場(chǎng),衷心希望能與社會(huì)各界合作,共創(chuàng)成功,共創(chuàng)輝煌。相關(guān)業(yè)務(wù)歡迎垂詢,聯(lián)系人:曾經(jīng)理。