MEMS材料刻蝕加工——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的實(shí)際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

目前干法刻蝕市場占比90%，濕法刻蝕占比10%，濕法刻蝕一般適用于尺寸較大的情況下（大于3微米）以及用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。其余，生產(chǎn)中大部分采用干法刻蝕。

干法刻蝕與濕法腐蝕工藝?yán)盟幰禾幚淼脑聿煌喜牧峡涛g公司，干法刻蝕在刻蝕表面材料時，既存在化學(xué)反應(yīng)又存在物理反應(yīng)。因此在刻蝕特性上既表現(xiàn)出化學(xué)的等方性，又表現(xiàn)出物理的異方性。所謂等方性，是指縱橫兩個方向上均存在刻蝕。而異方性，則指單一縱向上的刻蝕。

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其中***屬于中密度等離子體，ICP材料刻蝕公司，ICP則屬于高密度等離子體。***技術(shù)的發(fā)明早于ICP，但由于其特點(diǎn)的不同，MEMS材料刻蝕公司，兩類技術(shù)并非相互取代，而是相互補(bǔ)充的關(guān)系。***的等離子密度雖然較低，但能量較高，適合刻蝕氧化物、氮氧化物等較硬的介質(zhì)材料；ICP的等離子密度高，能量低，可以***控制離子密度和能量，有更靈活的調(diào)控手段，適合刻蝕單晶硅、多晶硅等硬度不高或較薄的材料。

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刻蝕設(shè)備分類

目前主流所用的是干法刻蝕工藝，利用干法刻蝕工藝的叫等離子體刻蝕機(jī)。也分為三大類，分別是介質(zhì)刻蝕機(jī)、硅刻蝕機(jī)、金屬刻蝕機(jī)，硅材料刻蝕公司，這主要是因?yàn)殡娙菪缘入x子體刻蝕設(shè)備在以等離子體在較硬的介質(zhì)材料（氧化物、氮化物等硬度髙、需要髙能量離子反應(yīng)刻蝕的介質(zhì)材料；有機(jī)掩模材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)；電***等離子體刻蝕設(shè)備主要以等離子體在較軟和較薄的材料（單晶硅、多晶硅等材料）上，刻蝕通孔、溝槽等微觀結(jié)構(gòu)。

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半導(dǎo)體光刻(圖)-硅材料刻蝕公司-湖南材料刻蝕公司由廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所提供。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是從事“深硅刻蝕,真空鍍膜,磁控濺射,材料刻蝕,紫外光刻”的企業(yè)，公司秉承“誠信經(jīng)營，用心服務(wù)”的理念，為您提供更好的產(chǎn)品和服務(wù)。歡迎來電咨詢！聯(lián)系人：曾經(jīng)理。