MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，半導(dǎo)體光刻制作平臺(tái)，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展的實(shí)際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，半導(dǎo)體光刻制作代工，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開(kāi)發(fā)。

如果說(shuō)以上工藝步驟是任何微機(jī)械器件都必須要考慮的工藝的話(huà)，那么“摻雜工藝”（Doping）就是半導(dǎo)體工藝中的工藝了。

說(shuō)摻雜工藝是半導(dǎo)體工藝中的工藝，是因?yàn)殡娐分懈靼雽?dǎo)體器件的電學(xué)性能在此步驟形成。在此步驟之前，整片晶圓不過(guò)是一片冷冰冰的材料一片，過(guò)了此步驟，才有了各種各樣的二極管、三極管、CMOS以及電阻等。

摻雜工藝在半導(dǎo)體中如此重要，是因?yàn)樗梢愿淖儼雽?dǎo)體的電導(dǎo)率、載流子類(lèi)型和濃度、能帶結(jié)構(gòu)等電學(xué)性質(zhì)，從而實(shí)現(xiàn)不同的功能和性能。半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能可控，就是通過(guò)摻雜來(lái)實(shí)現(xiàn)。

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光刻之所以得名，就是因?yàn)樗ㄟ^(guò)利用光線(xiàn)，把帶有圖案的掩模板上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。由于半導(dǎo)體技術(shù)的主要目標(biāo)是盡可能的縮小電路尺寸，所以對(duì)光刻的精度要求也越來(lái)越高。高精度的光刻機(jī)是光刻步驟的基礎(chǔ)，這就是為什么“光刻”成為備受關(guān)注的工藝步驟。

為了支持更高精度的光刻，也有***的光刻機(jī)被制造出來(lái)。目前***的光刻機(jī)技術(shù)是極紫外光刻技術(shù)（EUV，Extreme Ultra-violet），它使用波長(zhǎng)為13.5納米的極紫外線(xiàn)作為光源進(jìn)行電路光刻，可以制造出7納米及以下工藝節(jié)點(diǎn)的芯片。A***L是EUV光刻機(jī)的***廠商，其新型號(hào)的光刻機(jī)號(hào)稱(chēng)可實(shí)現(xiàn)0.3納米的精度。

光刻技術(shù)是半導(dǎo)體芯片工藝中昂貴的工藝，在***工藝中，光刻步驟的成本可以占整個(gè)芯片加工成本的三分之一甚至更多。

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在芯片晶圓上，有一些特殊的部分和特定的名稱(chēng)，湖南半導(dǎo)體光刻制作，比如：

Wafer：指整張晶圓Chip、Die：是指一小片帶有電路的硅片劃片道（Scribe line）：指Die與Die之間無(wú)功能的空隙，可以在這些安全的切割晶圓，而不會(huì)損壞到電路測(cè)試單元：一些用于表征Wafer工藝性能的測(cè)試電路單元，規(guī)律分布于Wafer各位置邊緣Die（Edge Die）：Wafer邊緣的一部分電路，半導(dǎo)體光刻制作委托加工，通常這部分因?yàn)楣に囈恢滦曰蚯懈顡p壞，會(huì)被損失。這部分損失在大的晶圓片中占比會(huì)減少切割面（Flat Zone）：被切成一個(gè)平面的晶圓的一條邊，可以幫助識(shí)別晶圓方向

晶圓制備完成后，半導(dǎo)體的畫(huà)布就形成了。后續(xù)半導(dǎo)體工藝由此開(kāi)始。

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