MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應用技術研究，兼顧重大技術應用的基礎研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業(yè)應用技術開發(fā)。

這些氧化層在半導體器件中也有舉足輕重的作用。比如說CMOS器件中的重要結構：MOS（金屬-氧化物-半導體）結構中用于金屬和半導體之間絕緣的“氧化物”層（或稱柵氧），就是采用氧化工藝制備的。另外，用于隔離不同CMOS器件的厚層氧化物場氧（Field Oxide）、SOI器件中用于隔離襯底與器件的絕緣隔離層，都是采用氧化工藝實現(xiàn)的SiO2材料。

氧化工藝的實現(xiàn)方法有多種，如熱氧化、電化學陽極氧化等。其中常用的是熱氧化法，即在高溫（800～1200℃）下，利用純氧或水蒸汽與硅反應生成SiO2層。熱氧化法又分為干法和濕法：干法只使用純氧，形成較薄、質量較好的氧化層，但生長速度較慢。濕法使用純氧和水蒸汽，形成較厚、密度較低的氧化層，但生長速度較快。不同類型和厚度的SiO2可以滿足不同功能和要求。

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MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應用技術研究，半導體光刻工藝制作，兼顧重大技術應用的基礎研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業(yè)應用技術開發(fā)。

以硅基晶圓為例，半導體晶圓的主要制備步驟有[1]：硅提煉及提純：大多數(shù)晶圓是由從沙子中提取的硅制成的。將沙石原料放入電弧熔爐中，還原成冶金級硅，再與反應，生成，經(jīng)過蒸餾和化學還原工藝，得到高純度的多晶硅。單晶硅生長：將高純度的多晶硅放在石英坩堝中，并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱，江西半導體光刻工藝，使多晶硅熔化。然后把一顆籽晶浸入其中，半導體光刻工藝服務，并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉，同時慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。這樣就形成了圓柱狀的單晶硅晶棒。晶圓成型：將單晶硅棒經(jīng)過切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻等工序，制成一片片薄薄的半導體襯底，即晶圓。

半導體晶圓的尺寸在這一步驟中確定。晶圓的尺寸一般以“英寸”為單位。在半導體行業(yè)的早期，由于工藝能力的限制，硅棒直徑只有3英寸，約合7.62厘米。此后，隨著技術進步和生產(chǎn)效率提高，晶圓尺寸不斷增大。目前，在半導體制造中使用的直徑為12英寸（又稱300毫米）。

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MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，半導體光刻工藝定制，主要聚焦半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應用技術研究，兼顧重大技術應用的基礎研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業(yè)應用技術開發(fā)。

光刻技術是一種將掩模板（Mask）上的圖形轉移到涂有光刻膠的晶圓片上的技術。光刻技術可以將半導體表面上特定的區(qū)域去除或者保留，從而構建半導體器件。

光刻步驟主要包括：

設計電路并制作掩模板。這一步一般是通用計算機輔助設計（CAD）軟件完成的，在完成電路設計正確性檢查（LVS）和設計規(guī)則檢查（DRC）后，設計圖形被轉移到掩模板上。掩模板一般是由透明的超純石英玻璃基片制成，在基片上，需要透光的地方保持透明，需要遮光的地方用金屬遮擋。

涂光刻膠：使晶圓對光敏感。執(zhí)行這一步驟時，會在晶圓表面均勻涂抹一層對光敏感的物質，光刻膠。光刻膠對光敏感，光照射后會產(chǎn)生化學變化，于是根據(jù)光照射與否，光刻膠也形成溶解和不可溶解的部分。

***。將光源發(fā)出的光線經(jīng)過掩模板照射到晶圓片上時，掩模板上的圖形也就被轉移到了晶圓片上。根據(jù)掩模板上圖形的不同，光刻膠會溶解形成對應圖形。

顯影與堅膜。用化學顯影液溶解掉光刻膠中可溶解的區(qū)域，使可見的圖形出現(xiàn)在晶圓片上。顯影后再進行高溫烘培，使剩余的光刻膠變硬并提高粘附力。

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江西半導體光刻工藝-半導體-半導體光刻工藝制作由廣東省科學院半導體研究所提供。廣東省科學院半導體研究所為客戶提供“深硅刻蝕,真空鍍膜,磁控濺射,材料刻蝕,紫外光刻”等業(yè)務，公司擁有“半導體”等品牌，專注于電子、電工產(chǎn)品加工等行業(yè)。，在廣州市天河區(qū)長興路363號的名聲不錯。歡迎來電垂詢，聯(lián)系人：曾經(jīng)理。