MEMS材料刻蝕加工——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
半導(dǎo)體在介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域較強(qiáng)，其產(chǎn)品已在包括臺積電，SK海力士、中芯國際等廠商的20多條生產(chǎn)線上實現(xiàn)了量產(chǎn)。該公司5nm等離子體蝕刻機(jī)已通過臺積電驗證，已用于全i球首條5nm工藝生產(chǎn)線。
半導(dǎo)體還切入了TSV硅通孔刻蝕和金屬硬掩膜刻蝕領(lǐng)域。
在硅刻蝕和金屬刻蝕領(lǐng)域較強(qiáng)，其55nm/65nm硅刻蝕機(jī)已成為中芯國際主力設(shè)備，江西材料刻蝕加工，該公司的28nm硅刻蝕機(jī)也已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段，14nm硅刻蝕機(jī)正在產(chǎn)線驗證中，金屬硬掩膜刻蝕機(jī)則攻破了28nm-14nm制程。
總而言之，在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域，刻蝕機(jī)的國產(chǎn)化進(jìn)程還是比較快的，但是，7nm刻蝕機(jī)的成功并不意味著國產(chǎn)7nm芯片可實現(xiàn)全i面量產(chǎn)。因為刻蝕的前一道工序——光刻，其國產(chǎn)設(shè)備目前還處于卡脖子狀態(tài)。因此，想要打造一個全制程國產(chǎn)化的 “中國芯”，流道材料刻蝕加工，各個工藝生產(chǎn)設(shè)備的齊頭并進(jìn)尤為重要。
歡迎來電咨詢半導(dǎo)體研究所了解更多材料刻蝕加工~
MEMS材料刻蝕加工——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
刻蝕設(shè)備國產(chǎn)化進(jìn)程
刻蝕機(jī)方面，Lam Research、TEL、應(yīng)用材料都實現(xiàn)了硅刻蝕、介質(zhì)刻蝕、金屬刻蝕的全覆蓋，占據(jù)了全i球干法刻蝕機(jī)市場80%以上的份額。
在中國市場，介質(zhì)刻蝕機(jī)是我國***具優(yōu)勢的半導(dǎo)體設(shè)備，目前，我國主流設(shè)備中，去膠設(shè)備、刻蝕設(shè)備、熱處理設(shè)備、清洗設(shè)備等的國產(chǎn)化率均已經(jīng)達(dá)到20%以上。而這其中市場規(guī)模***大的就是刻蝕設(shè)備。
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MEMS材料刻蝕加工——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，生物芯片材料刻蝕加工，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。
電子回旋加速振蕩等離子體刻蝕設(shè)備主要應(yīng)用于金屬互連線、通孔、接觸金屬等環(huán)節(jié)。金屬互連線通常采用鋁合金，對鋁的刻蝕采用氯基氣體和部分聚合物。鎢在多層金屬結(jié)構(gòu)中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基氣體。
刻蝕通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。從難度上講，硅柱材料刻蝕加工，硅刻蝕難，其次介質(zhì)刻蝕，的是金屬刻蝕。
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