MEMS材料刻蝕加工——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

干法刻蝕的步驟:刻蝕反應(yīng)劑在等離子體中產(chǎn)生;反應(yīng)劑以擴散的方式通過不流動的氣體邊界層到達(dá)表面;反應(yīng)劑吸附在表面;隨后發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，也伴隨著離子轟擊等物理反應(yīng)，生成了可揮發(fā)性化合物;

后，這些化合物從表面解析出來，通過擴散回到等離子體氣體中，臺灣微流控材料刻蝕，然后由真空裝置抽出。

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干法刻蝕用于高精度的圖形轉(zhuǎn)移。目前我國刻蝕工藝以及刻蝕設(shè)備相對于光刻而言，已經(jīng)能夠達(dá)到世界較為前列的水平。能夠達(dá)到較高的刻蝕選擇性、更好的尺寸控制、低面比例依賴刻蝕和更低的等離子體損傷。

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其中***屬于中密度等離子體，ICP則屬于高密度等離子體。***技術(shù)的發(fā)明早于ICP，微流控材料刻蝕加工廠，但由于其特點的不同，兩類技術(shù)并非相互取代，而是相互補充的關(guān)系。***的等離子密度雖然較低，但能量較高，微流控材料刻蝕加工，適合刻蝕氧化物、氮氧化物等較硬的介質(zhì)材料；ICP的等離子密度高，能量低，可以***控制離子密度和能量，有更靈活的調(diào)控手段，適合刻蝕單晶硅、多晶硅等硬度不高或較薄的材料。

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