MEMS光刻工藝外協(xié)——廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是廣東省科學(xué)院下屬骨干研究院所之一，主要聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的應(yīng)用技術(shù)研究，山東半導(dǎo)體光刻工藝，兼顧重大技術(shù)應(yīng)用的基礎(chǔ)研究，立足于廣東省經(jīng)濟社會發(fā)展的實際需要，從事電子信息、半導(dǎo)體領(lǐng)域應(yīng)用基礎(chǔ)性、關(guān)鍵共性技術(shù)研究，以及行業(yè)應(yīng)用技術(shù)開發(fā)。

光刻技術(shù)是一種將掩模板（Mask）上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的晶圓片上的技術(shù)。光刻技術(shù)可以將半導(dǎo)體表面上特定的區(qū)域去除或者保留，從而構(gòu)建半導(dǎo)體器件。

光刻步驟主要包括：

設(shè)計電路并制作掩模板。這一步一般是通用計算機輔助設(shè)計（CAD）軟件完成的，在完成電路設(shè)計正確性檢查（LVS）和設(shè)計規(guī)則檢查（DRC）后，半導(dǎo)體光刻工藝代工，設(shè)計圖形被轉(zhuǎn)移到掩模板上。掩模板一般是由透明的超純石英玻璃基片制成，半導(dǎo)體光刻工藝外協(xié)，在基片上，需要透光的地方保持透明，需要遮光的地方用金屬遮擋。

涂光刻膠：使晶圓對光敏感。執(zhí)行這一步驟時，會在晶圓表面均勻涂抹一層對光敏感的物質(zhì)，光刻膠。光刻膠對光敏感，光照射后會產(chǎn)生化學(xué)變化，于是根據(jù)光照射與否，光刻膠也形成溶解和不可溶解的部分。

***。將光源發(fā)出的光線經(jīng)過掩模板照射到晶圓片上時，掩模板上的圖形也就被轉(zhuǎn)移到了晶圓片上。根據(jù)掩模板上圖形的不同，光刻膠會溶解形成對應(yīng)圖形。

顯影與堅膜。用化學(xué)顯影液溶解掉光刻膠中可溶解的區(qū)域，使可見的圖形出現(xiàn)在晶圓片上。顯影后再進(jìn)行高溫烘培，使剩余的光刻膠變硬并提高粘附力。

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這些氧化層在半導(dǎo)體器件中也有舉足輕重的作用。比如說CMOS器件中的重要結(jié)構(gòu)：MOS（金屬-氧化物-半導(dǎo)體）結(jié)構(gòu)中用于金屬和半導(dǎo)體之間絕緣的“氧化物”層（或稱柵氧），就是采用氧化工藝制備的。另外，用于隔離不同CMOS器件的厚層氧化物場氧（Field Oxide）、SOI器件中用于隔離襯底與器件的絕緣隔離層，都是采用氧化工藝實現(xiàn)的SiO2材料。

氧化工藝的實現(xiàn)方法有多種，如熱氧化、電化學(xué)陽極氧化等。其中常用的是熱氧化法，半導(dǎo)體光刻工藝服務(wù)價格，即在高溫（800～1200℃）下，利用純氧或水蒸汽與硅反應(yīng)生成SiO2層。熱氧化法又分為干法和濕法：干法只使用純氧，形成較薄、質(zhì)量較好的氧化層，但生長速度較慢。濕法使用純氧和水蒸汽，形成較厚、密度較低的氧化層，但生長速度較快。不同類型和厚度的SiO2可以滿足不同功能和要求。

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在半導(dǎo)體電路中，除了用于可控導(dǎo)電的各種二極管、三極管外，還必須要用絕緣物質(zhì)將不同的電路隔離開來。對于硅基元素來說，形成這種絕緣物質(zhì)的方法就是將硅進(jìn)行氧化，形成二氧化硅（SiO2）了。

SiO2是自然界中常見的一種材料，也是玻璃的主要元素。SiO2材料的主要特點有：具有高熔點和高沸點（分別為1713 o C和2950o C）不溶于水和部分酸，溶于具有良好的絕緣性、保護(hù)性和化學(xué)穩(wěn)定性

由于以上特性，SiO2在芯片制備的多個步驟工藝中被反復(fù)使用。芯片工藝中的氧化工藝是在半導(dǎo)體制造過程中，在硅晶圓表面形成一層薄薄的SiO2層的過程。這層氧化層有以下作用：作為絕緣層，阻止電路之間的漏電

作為保護(hù)層，防止后續(xù)的離子注入和刻蝕過程中對硅晶圓造成損傷

作為掩膜層，定義電路圖案

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半導(dǎo)體光刻工藝外協(xié)-山東半導(dǎo)體光刻工藝-半導(dǎo)體微納由廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所提供。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所實力不俗，信譽可靠，在廣東 廣州 的電子、電工產(chǎn)品加工等行業(yè)積累了大批忠誠的客戶。半導(dǎo)體研究所帶著精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念和您攜手步入輝煌，共創(chuàng)美好未來！