為了適應各種不同的用途和要求，國內(nèi)外對PZT陶瓷進行了廣泛的摻雜改性研究.PZT壓電陶瓷的摻雜改性主要有以下幾個方面:

.1　軟性摻雜　這種摻雜是指La3+、Bi3+、Nb5+、W6+等離子分別置換Pb2+或(Zr，Ti)4+等離子，在晶格中形成一定量的正離子缺位(主要是A位)，由此導致晶粒內(nèi)疇壁容易移動，結果使矯頑場降低，使陶瓷的極化變得容易，因而相應地提高了壓電性能.但空位的存在增加了陶瓷內(nèi)部的彈性波的衰減，引起機械品質(zhì)因數(shù)Qm和電氣品質(zhì)因數(shù)Qe的降低，但其介電損耗增大，因而這類摻雜的PZT壓電陶瓷通常稱為“軟性”PZT壓電陶瓷，適于制備高靈敏度

.2　硬性摻雜　這類摻雜與離子軟性摻雜的作用相反:離子置換后在晶格中形成一定量的負離子(氧位)缺位，因而導致晶胞收縮，***疇壁運動，降低離子擴散速度，矯頑電場增加，從而使極化變得很困難，壓電性能降低，Qm和Qe變大，介電損耗減少.具有這類摻雜物的PZT壓電陶瓷稱為“硬性”PZT壓電陶瓷，的傳感器元件.這類摻雜報道較多的是La3+和Nb5+[

用壓電陶瓷制作的電子元器件有哪些

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通過研究，降結溫度的主要方法有:(1)改善粉體形貌，表面能和燒結活性，有利于燒結過程的進行.研究表明[14]PbO揮發(fā)溫度為924.71℃，顆粒之間的反應溫度為811.26℃;而固相合成的1243.47℃，PbO的揮發(fā)溫度為1213.29℃.因此采取有效的合成方法，PbO揮發(fā)溫度以下，鉛可完全揮發(fā).(2).，PZT陶瓷粉體時摻加微量的Fe2+，Bi3+，Cu2+等離子，

)O3]，可以實現(xiàn)在空氣中850℃BCW[Ba(CuW完成繞結，比不加燒結助劑的粉體的燒結溫

度降低250℃左右，比一般固相法制備的PZT粉體的燒結溫度1250℃降低400℃左右.(3)熱壓燒結.清華大學的李龍土及同事在PZT基壓電陶瓷原料中加入由xBO1.5-yBiO1.5-zCdO組成的玻璃料可使其燒結溫度得到較大程度的降低，其壓電性和介電性都得到了改善[17].

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